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TYSEMI FDV303N
中文翻译
SOT-23
晶体晶体管开关光电二极管PC
FAIRCHILD FDV303N
中文翻译
Digital FET, N-Channel
数字场效应管, N通道
晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
FAIRCHILD FDV303ND87Z Small Signal Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
开关光电二极管晶体管
FAIRCHILD FDV303NS62Z Small Signal Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
开关光电二极管晶体管
更多FDV303N资料...

FDV303N详细参数

Brand Name
Fairchild Semiconductor
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
IHS 制造商
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码
SOT-23
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数
3
制造商包装代码
3LD, SOT23, JEDEC TO-236, LOW PROFILE
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
风险等级
3.26
Samacsys Confidence
3
Samacsys Status
Released
2D Presentation
Schematic Symbol
PCB Footprint
3D View
Samacsys PartID
989741
Samacsys Image
Samacsys Thumbnail Image
Samacsys Pin Count
3
Samacsys Part Category
MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category
SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name
SOT?23 (TO?236
Samacsys Released Date
2019-07-26 02:51:10
Is Samacsys
N
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.68 A
最大漏极电流 (ID)
0.68 A
最大漏源导通电阻
0.45 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
0.35 W
认证状态
Not Qualified
子类别
FET General Purpose Power
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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