fdv303n 的Datasheet文档资料查询

FDV303N详细参数

是否无铅

不含铅

是否Rohs认证

符合

生命周期

Transferred

IHS 制造商

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

零件包装代码

SOT-23

包装说明

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

针数

3

制造商包装代码

3LD, SOT23, JEDEC TO-236, LOW PROFILE

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

风险等级

3.26

Samacsys Confidence

3

Samacsys Status

Released

2D Presentation

Schematic Symbol

PCB Footprint

3D View

Samacsys PartID

989741

Samacsys Image

Samacsys Thumbnail Image

Samacsys Pin Count

3

Samacsys Part Category

MOSFET (N-Channel)

Samacsys Package Category

SOT23 (3-Pin)

Samacsys Footprint Name

SOT?23 (TO?236

Samacsys Released Date

2019-07-26 02:51:10

Is Samacsys

N

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

最小漏源击穿电压

25 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.68 A

最大漏极电流 (ID)

0.68 A

最大漏源导通电阻

0.45 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JESD-30 代码

R-PDSO-G3

JESD-609代码

e3

湿度敏感等级

1

元件数量

1

端子数量

3

工作模式

ENHANCEMENT MODE

最高工作温度

150 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

极性/信道类型

N-CHANNEL

最大功率耗散 (Abs)

0.35 W

认证状态

Not Qualified

子类别

FET General Purpose Power

表面贴装

YES

端子面层

Matte Tin (Sn)

端子形式

GULL WING

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

晶体管应用

SWITCHING

晶体管元件材料

SILICON

Base Number Matches

1