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产品型号FF450R12KT4的概述

芯片FF450R12KT4的概述 FF450R12KT4是一款由德国公司富士电机（Fuji Electric）生产的高性能IGBT（绝缘栅双极晶体管），广泛应用于各种工业驱动和电力电子领域。作为一种新型功率半导体，FF450R12KT4在高效能和高可靠性方面表现突出，使其成为电力变换器、逆变器和其他高功率应用的重要组成部分。在当今的工业和新能源领域，对效率和可靠性的需求日益增加。FF450R12KT4以其优异的开关特性和低导通压降，满足了现代电源设计的多种需求。这款芯片特别适合用于大功率电机驱动、风能和太阳能逆变器等应用场景，支持高频开关操作，实现高效能转换。芯片FF450R12KT4的详细参数 FF450R12KT4的技术参数非常重要，以下是其主要参数： - 额定电流（IC）： 450A - 额定电压（VC）： 1200V - 最大结温（Tj）： 150°C - 导通压降（VCE...

产品型号FF450R12KT4的Datasheet PDF文件预览

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FF450R12KT4

62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode

62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode

IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter

Vorläufige Daten / preliminary data

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

TÝÎ = 25°C

V†Š»

1200

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

T† = 100°C, TÝÎ = 175°C

T† = 25°C, TÝÎ = 175°C

I† ÒÓÑ

I†

450

580

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t« = 1 ms

I†ç¢

PÚÓÚ

900

2400

+/-20

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T† = 25°C, TÝÎ = 175°C

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V•Š»

Charakteristische Werte / characteristic values

min. typ. max.

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I† = 450 A, V•Š = 15 V

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ

TÝÎ = 150°C

1,75 2,15

2,05

2,10

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

I† = 17,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C

V•Š = -15 V ... +15 V

V•ŠÚÌ

Q•

5,2

5,8

3,60

1,9

6,4

µC

Gateladung

gate charge

Interner Gatewiderstand

internal gate resistor

TÝÎ = 25°C

R•ÍÒÚ

CÍþÙ

CØþÙ

I†Š»

I•Š»

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V

V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C

V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C

28,0

1,10

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

5,0 mA

400 nA

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn-on delay time (inductive load)

I† = 450 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V

R•ÓÒ = 1,0 Â

TÝÎ = 25°C

tÁ ÓÒ

0,16

0,17

0,18

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Anstiegszeit (induktive Last)

rise time (inductive load)

I† = 450 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V

R•ÓÒ = 1,0 Â

TÝÎ = 25°C

tØ

0,04

0,045

0,05

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn-off delay time (inductive load)

I† = 450 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V

R•ÓËË = 1,0 Â

TÝÎ = 25°C

tÁ ÓËË

0,45

0,52

0,54

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Fallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load)

I† = 450 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V

R•ÓËË = 1,0 Â

TÝÎ = 25°C

tË

0,10

0,16

0,18

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Einschaltverlustenergie pro Puls

turn-on energy loss per pulse

I† = 450 A, V†Š = 600 V, L» = 30 nH TÝÎ = 25°C

V•Š = ±15 V, di/dt = 9000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C

19,0

30,0

36,0

EÓÒ

EÓËË

R•ÓÒ = 1,0 Â

TÝÎ = 150°C

Abschaltverlustenergie pro Puls

turn-off energy loss per pulse

I† = 450 A, V†Š = 600 V, L» = 30 nH TÝÎ = 25°C

V•Š = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C

26,0

40,0

43,0

R•ÓËË = 1,0 Â

TÝÎ = 150°C

Kurzschlussverhalten

SC data

V•Š ù 15 V, V†† = 800 V

V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt

I»†

t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C

1800

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

pro IGBT / per IGBT

ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)

RÚÌœ†

RÚÌ†™

0,062 K/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

0,03

K/W

ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

prepared by: Martin Knecht

date of publication: 2008-11-19

revision: 2.3

approved by: Wilhelm Rusche

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FF450R12KT4

Vorläufige Daten

preliminary data

Diode-Wechselrichter / diode-inverter

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltage

TÝÎ = 25°C

Vçç¢

1200

450

Dauergleichstrom

DC forward current

IŒ

IŒç¢

I²t

Periodischer Spitzenstrom

t« = 1 ms

900

repetitive peak forward current

Grenzlastintegral

I²t - value

Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C

Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C

34000

32000

A²s

Charakteristische Werte / characteristic values

min. typ. max.

Durchlassspannung

forward voltage

IŒ = 450 A, V•Š = 0 V

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

1,70 2,25

1,75

VŒ

Iç¢

QØ

Rückstromspitze

peak reverse recovery current

IŒ = 450 A, - diŒ/dt = 9000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

490

550

560

Vç = 600 V

V•Š = -15 V

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

IŒ = 450 A, - diŒ/dt = 9000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

44,0

80,0

90,0

µC

Vç = 600 V

V•Š = -15 V

Abschaltenergie pro Puls

reverse recovery energy

IŒ = 450 A, - diŒ/dt = 9000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

19,0

35,0

39,0

Vç = 600 V

V•Š = -15 V

EØþÊ

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

pro Diode / per diode

RÚÌœ†

RÚÌ†™

0,11 K/W

K/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

pro Diode / per diode

0,055

ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)

ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

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revision: 2.3

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FF450R12KT4

Vorläufige Daten

preliminary data

Modul / module

Isolations-Prüfspannung

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

insulation test voltage

Vš»¥¡

4,0

Material Modulgrundplatte

material of module baseplate

Material für innere Isolation

material for internal insulation

AlèOé

Kriechstrecke

creepage distance

Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink

Kontakt - Kontakt / terminal to terminal

29,0

23,0

Luftstrecke

clearance distance

Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink

Kontakt - Kontakt / terminal to terminal

23,0

11,0

Vergleichszahl der Kriechwegbildung

comparative tracking index

CTI

> 400

min. typ. max.

0,01

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

pro Modul / per module

ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

RÚÌ†™

LÙ†Š

K/W

Modulinduktivität

stray inductance module

Modulleitungswiderstand,

Anschlüsse - Chip

module lead resistance,

terminals - chip

T† = 25°C, pro Schalter / per switch

R††óôŠŠó

0,70

mÂ

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà

175

°C

Temperatur im Schaltbetrieb

temperature under switching conditions

Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ

TÙÚÃ

-40

150

125

Lagertemperatur

storage temperature

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note

mounting torque screw M6 - mounting according to valid application note

3,00

2,5

6,00 Nm

5,0 Nm

Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note

screw M6 - mounting according to valid application note

terminal connection torque

Gewicht

weight

340

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date of publication: 2008-11-19

revision: 2.3

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FF450R12KT4

Vorläufige Daten

preliminary data

Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)

output characteristic IGBT-inverter (typical)

I† = f (V†Š)

Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)

output characteristic IGBT-inverter (typical)

I† = f (V†Š)

TÝÎ = 150°C

V•Š = 15 V

900

810

720

630

540

450

360

270

180

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

V•Š = 19V

V•Š = 17V

V•Š = 15V

V•Š = 13V

V•Š = 11V

V•Š = 9V

810

720

630

540

450

360

270

180

0,0

0,5

1,0

1,5 2,0

V†Š [V]

2,5

3,0

3,5

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

V†Š [V]

Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)

transfer characteristic IGBT-inverter (typical)

I† = f (V•Š)

Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)

switching losses IGBT-inverter (typical)

EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)

V†Š = 20 V

V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1 Â, R•ÓËË = 1 Â, V†Š = 600 V

900

120

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

EÓÒ, TÝÎ = 125°C

EÓËË, TÝÎ = 125°C

EÓÒ, TÝÎ = 150°C

810

100

EÓËË, TÝÎ = 150°C

720

630

540

450

360

270

180

V•Š [V]

100 200 300 400 500 600 700 800 900

I† [A]

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date of publication: 2008-11-19

revision: 2.3

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FF450R12KT4

Vorläufige Daten

preliminary data

Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)

switching losses IGBT-Inverter (typical)

EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)

Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.

transient thermal impedance IGBT-inverter

ZÚÌœ† = f (t)

V•Š = ±15 V, I† = 450 A, V†Š = 600 V

200

0,1

EÓÒ, TÝÎ = 125°C

EÓËË, TÝÎ = 125°C

EÓÒ, TÝÎ = 150°C

EÓËË, TÝÎ = 150°C

ZÚÌœ† : IGBT

180

160

140

120

100

0,01

rÍ[K/W]: 0,00372 0,02046 0,01984 0,01798

0,01 0,02 0,05 0,1

τ^Í[s]:

0,001

R• [Â]

0,01

0,1

t [s]

Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)

reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)

I† = f (V†Š)

Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)

forward characteristic of diode-inverter (typical)

IŒ = f (VŒ)

V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 1 Â, TÝÎ = 150°C

1200

900

I†, Modul

I†, Chip

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

810

720

900

600

300

630

540

450

360

270

180

200

400

600 800

V†Š [V]

1000 1200 1400

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4

VŒ [V]

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FF450R12KT4

Vorläufige Daten

preliminary data

Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)

switching losses diode-inverter (typical)

EØþÊ = f (IŒ)

Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)

switching losses diode-inverter (typical)

EØþÊ = f (R•)

R•ÓÒ = 1 Â, V†Š = 600 V

IŒ = 450 A, V†Š = 600 V

EØþÊ, TÝÎ = 125°C

EØþÊ, TÝÎ = 150°C

EØþÊ, TÝÎ = 125°C

EØþÊ, TÝÎ = 150°C

100 200 300 400 500 600 700 800 900

IŒ [A]

0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0

R• [Â]

Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.

transient thermal impedance diode-inverter

ZÚÌœ† = f (t)

ZÚÌœ† : Diode

0,1

0,01

rÍ[K/W]: 0,0066 0,0363 0,0352 0,0319

τ_Í[s]:

0,01

0,02

0,05

0,1

0,001

0,01

0,1

t [s]

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revision: 2.3

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FF450R12KT4

Vorläufige Daten

preliminary data

Schaltplan / circuit diagram

Gehäuseabmessungen / package outlines

j n

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revision: 2.3

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FF450R12KT4

Vorläufige Daten

preliminary data

Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die

Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten

Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung

übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen

Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und

insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie

zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application

Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen

zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro

in Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder

lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und

gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.

Terms & Conditions of usage

The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical

departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product

data with respect to such application.

This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is

granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the

product and its characteristics.

Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific

application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com, sales&contact).

For those that are specifically interested we may provide application notes.

Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please

contact the sales office, which is responsible for you.

Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please

notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend

- to perform joint Risk and Quality Assessments;

- the conclusion of Quality Agreements;

- to establish joint measures of an ongoing product survey,

and that we may make delivery depended on the realization

of any such measures.

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.

Changes of this product data sheet are reserved.

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FF450R12KT4产品参数

型号:	FF450R12KT4
是否无铅：	不含铅
是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active
零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数：	7
Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.5
Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	580 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	2
端子数量：	7
最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2400 W
认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	720 ns
标称接通时间 (ton)：	230 ns
VCEsat-Max：	2.15 V
Base Number Matches：	1

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