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产品型号FFA60UP20DNTU的概述

芯片FFA60UP20DNTU的概述 FFA60UP20DNTU是一种高性能的功率MOSFET，设计用于中低压电源管理和开关应用。这种器件以其优良的导通电阻和开关特性，在电子设备中得到了广泛应用。FFA60UP20DNTU主要用于各种电源转换器、逆变器、LED驱动电路以及其他需要高效能和可靠性的电路中，其优秀的热特性和电气性能使其成为现代电子产品设计的重要组成部分。芯片FFA60UP20DNTU的详细参数 FFA60UP20DNTU具备以下一些详细参数，这些参数在选择适合的MOSFET时是至关重要的： - 最大漏源电压（V_DS）： 60V - 最大漏电流（I_D）： 20A - 最小阈值电压（V_GS(th)）： 1.0V - 2.5V - 导通电阻（R_DS(on)）： 0.015Ω（在V_GS = 10V时） - 最大功耗（P_D）： 94W - 封装类型： DPAK - 工作...

产品型号FFA60UP20DNTU的Datasheet PDF文件预览

September 2004

FFA60UP20DN

60 A, 200 V, Ultrafast Dual Diode

Features

The FFA60UP20DN is an ultrafast diode with low forward

voltage drop and rugged UIS capability. This device is intended

for use as freewheeling and clamping diodes in a variety of

switching power supplies and other power switching applications.

It is specially suited for use in switching power supplies and

industrial applicationa as welder and UPS application.

•

Ultrafast Recovery, Trr = 32 ns (@ IF = 30 A)

Max. Forward Voltage, VF = 1.15 V (@ TC = 25°C)

Reverse Voltage: V_RRM= 200 V

Avalanche Energy Rated

RoHS Compliant

Applications

•

Power Switching Circuits

Output Rectifiers

Freewheeling Diodes

TO-3PN

Switching Mode Power Supply

1. Anode 2.Cathode 3. Anode

Absolute Maximum Ratings (per diode) T =25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

200

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

RRM

Average Rectified Forward Current

Non-repetitive Peak Surge Current

@ T = 100°C

F(AV)

FSM

300

60Hz Single Half-Sine Wave

Operating Junction and Storage Temperature

- 65 to +150

°C

J, STG

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Value

Unit

Maximum Thermal Resistance, Junction to Case

1.4

°C/W

θJC

Electrical Characteristics ^{(per diode) T =25 °C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Unit

Maximum Instantaneous Forward Voltage

= 25 °C

= 100 °C

1.15

1.0

= 30 A

Maximum Instantaneous Reverse Current

@ rated V

µA

= 25 °C

= 100 °C

100

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Current

Reverse Recovery Charge

2.4

38.4

(I = 30 A, di/dt = 200 A/µs)

Maximum Reverse Recovery Time

(I =1 A, di/dt = 100 A/µs)

Avalanche Energy (L = 40 mH)

AVL

*Pulse Test: Pulse Width=300 µs, Duty Cycle=2%

Rev. A, August 2004

Typical Characteristics

100

T_C= 100^oC

T_C= 25^oC

0.1

0.01

0.001

0.1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

100

150

200

Forward Voltage , V_F[V]

Reverse Voltage , V_R[V]

Figure 1. Typical Forward Voltage Drop

vs. Forward Current

Figure 2. Typical Reverse Current

vs. Reverse Voltage

500

Typical Capacitance

at 0V = 473.9 pF

I_F= 30A

Tc = 25^oC

400

200

0.1

100

500

di/dt [A/µs]

Reverse Voltage , V_R[V]

Figure 4. Typical Reverse Recovery Time

vs. di/dt

Figure 3. Typical Junction Capacitance

I_F= 30A

T_C= 25^oC

100

120

140

160

100

500

Case Temperature , T_C[^oC]

di/dt [A/µs]

Figure 6. Forward Current Derating Curve

Figure 5. Typical Reverse Recovery Current

vs. di/dt

Rev. A, August 2004

Mechanical Dimensions

TO-3PN

Dimensions in Millimeters

Rev. A, August 2004

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FFA60UP20DNTU产品参数

型号:	FFA60UP20DNTU
Brand Name：	Fairchild Semiconductor
是否无铅：	不含铅
是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred
IHS 制造商：	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码：	TO-3PN
包装说明：	R-PSFM-T3
针数：	3
制造商包装代码：	3LD, TO3PN, PLASTIC, EIAJ SC-65, ISOLATED
Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	3.9
Is Samacsys：	N
其他特性：	FREE WHEELING DIODE
应用：	ULTRA FAST SOFT RECOVERY
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	300 A
元件数量：	2
相数：	1
端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	30 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	0.04 µs
子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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