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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 上海振基实业有限公司

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  • 北京韶光科技有限公司

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FGA20N120FTDTU产品参数
型号:FGA20N120FTDTU
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:,
制造商包装代码:340BZ
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
Factory Lead Time:11 weeks
风险等级:1.37
Samacsys Confidence:4
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/167296.2.1.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=167296
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=167296
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=167296
Samacsys PartID:167296
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/FGA20N120FTDTU.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/2/FGA20N120FTDTU.jpg
Samacsys Pin Count:3
Samacsys Part Category:Transistor IGBT
Samacsys Package Category:Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name:TO-3P 3L
Samacsys Released Date:2019-06-20 15:45:07
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):40 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
最大降落时间(tf):320 ns
门极发射器阈值电压最大值:7.5 V
门极-发射极最大电压:25 V
JESD-609代码:e3
最高工作温度:150 °C
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):298 W
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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