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FGD3245G2-F085产品参数
型号:FGD3245G2-F085
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:,
制造商包装代码:369AS
Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:0.48
最大集电极电流 (IC):23 A
集电极-发射极最大电压:440 V
最大降落时间(tf):15000 ns
门极发射器阈值电压最大值:2.2 V
门极-发射极最大电压:12 V
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最高工作温度:175 °C
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):150 W
最大上升时间(tr):7000 ns
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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