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| 型号: | FGD3N60LSDTM-SB82154 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 25 V |
| JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| Base Number Matches： | 1 |
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