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FJP3307D产品参数
型号:FJP3307D
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.67
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):8 A
集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE):5
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):80 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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