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FJPF5027R产品参数
型号:FJPF5027R
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.81
其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:800 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):15
最大降落时间(tf):300 ns
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):40 W
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):15 MHz
最大关闭时间(toff):3300 ns
最大开启时间(吨):500 ns
VCEsat-Max:2 V
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