芯片FM25V05-GTR的概述
FM25V05-GTR是一种非易失性存储器芯片,属于Ferroelectric RAM(FeRAM)技术的一部分。FeRAM是一种新兴的存储技术,其结合了随机存取存储器(RAM)和传统非易失性存储器(如Flash存储器)的优势。FM25V05-GTR具有高速写入和读取特性,同时在断电后能够保持数据,是嵌入式系统和消费电子产品中广泛应用的理想选择。
FM25V05-GTR的存储容量为512Kb(64K×8bit),存储数据的可靠性高,其写入循环次数达到10^12次,且可在-40°C至85°C的温度范围内正常工作。这使得它在工业、汽车电子、智能电表等领域有着广泛的应用潜力。
芯片FM25V05-GTR的详细参数
FM25V05-GTR的主要技术规格如下:
- 存储容量: 512Kb (64K x 8-bit) - 接口: SPI - 工作电压: 2.7V至3.6V - 工作温度范围: -40°C至85°C - 读写速度: 最大可达20MHz(读取)和10MHz(写入) - 写入耐久性: 10^12次写入循环 - 数据保持时间: 10年以上(在额定温度下) - 封装类型: SOIC-8 - 封装尺寸: 150mil(3.91mm × 5.0mm) - 功耗: 工作模式下48μA;待机模式下最大为1μA - 供电电流: 最高为20mA(在写入过程中)
芯片FM25V05-GTR的厂家、包装、封装
FM25V05-GTR由Fujitsu公司制造,该公司在半导体存储器和微处理器领域享有良好声誉。FM25V05-GTR采用SOIC-8封装,这种封装对于空间受限的应用是非常适合的,其引脚间距为1.27mm,使其在小型电路板上容易布局。
芯片FM25V05-GTR的引脚和电路图说明
FM25V05-GTR共有8个引脚,具体引脚功能如下:
1. VCC: 电源引脚,提供存储器的工作电压(2.7V至3.6V)。 2. GND: 地引脚,提供电路的地连接。 3. DI: 数据输入引脚,与SPI主设备连接,接收数据。 4. DO: 数据输出引脚,向SPI主设备发送数据。 5. SCK: 时钟引脚,控制数据传输速率。 6. CS: 片选引脚,用于选择此存储器,与多个SPI设备连接时使用。 7. WP: 写保护引脚,可以通过该引脚对存储器进行写保护。 8. HOLD: 保持引脚,可在数据传输时暂时挂起SPI通信。
引脚电路图示例如下(只是文字描述):
+-----------+ VCC | 1 8 | GND | | DI | 2 7 | WP | | DO | 3 6 | HOLD | | CS | 4 5 | SCK +-----------+
芯片FM25V05-GTR的使用案例
FM25V05-GTR的应用领域非常广泛,其主要应用场景包括但不限于以下几个方面:
1. 智能电表: 由于FM25V05-GTR具有非易失性和高耐久性的特点,可以用于智能电表中存储用户的用电数据。这种数据通常需要被长期保存且在断电的情况下不丢失。
2. 汽车电子: 在汽车电子系统中,FM25V05-GTR可以用于存储重要的配置信息和故障代码。这些数据在汽车的整个生命周期内都需要保持,因此选用FM25V05-GTR可以保证在多个关断-启用循环中数据的完整性。
3. 工业控制系统: 在许多工业设备中,FM25V05-GTR被用于存储校准数据和配置参数,确保在设备的长期运行中,相关信息可以随时读取和写入,同时又不受断电影响。
4. 物联网设备: 在智能家居和物联网设备中,FM25V05-GTR被广泛应用于存储配置信息、用户数据以及传感器数据。这些数据在设备重启后仍能被保留,提升了用户体验。
5. 消费电子产品: 在一些便携式电子设备中,FM25V05-GTR可以用于存储用户设置和临时数据,这使得设备在重启时能够快速恢复到上次状态。
使用FM25V05-GTR时,要注意电源电压和工作环境参数,确保其在指定的条件下工作。此外,还应根据实际应用需求对时钟频率、写保护等功能进行适当配置,确保数据的可靠性和设备的稳定性。在实际电路设计中,合理布局引脚和做好抗干扰处理也是确保芯片正常工作的关键因素。
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型号: | FM25V05-GTR |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred |
IHS 制造商: | RAMTRON INTERNATIONAL CORP |
零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, |
针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.1 |
Is Samacsys: | N |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 |
长度: | 4.9 mm |
内存密度: | 524288 bit |
内存集成电路类型: | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 |
字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 64KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.75 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 3.9 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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