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    • FP15R12KE3图

    • 江苏芯钻时代电子科技有限公司

       该会员已使用本站2年以上
    • FP15R12KE3 现货库存
    • 数量16588 
    • 厂家英飞凌Infineon 
    • 封装MODULE 
    • 批号22+ 
    • 全新原装现货主营IGBTMOS管二极管晶闸管可控硅熔断器整流桥电阻电容芯片散热器
    • QQ:1316996791QQ：1316996791 复制
    • -18913062888-18913062888 QQ:1316996791
    • FP15R12KE3图

    • 北京中其伟业科技有限公司

       该会员已使用本站16年以上
    • FP15R12KE3 现货库存
    • 数量5580 
    • 厂家 
    • 封装 
    • 批号16+ 
    • 价格及优,真实库存,全新原装正品！！
    • QQ:2880824479QQ：2880824479 复制
    • 010-62104891 QQ:2880824479
    • FP15R12KE3G图

    • 深圳市浩兴林电子有限公司

       该会员已使用本站16年以上
    • FP15R12KE3G 现货库存
    • 数量310 
    • 厂家EUPEC 
    • 封装模块 
    • 批号2021+ 
    • 特价出售，全新原装.部份无铅
    • QQ:382716594QQ：382716594 复制
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    • 0755-82532799 QQ:382716594QQ:351622092
    • FP15R12KE3G图

    • HECC GROUP CO.，LIMITED

       该会员已使用本站17年以上
    • FP15R12KE3G 现货库存
    • 数量2400 
    • 厂家INF 
    • 封装代理 
    • 批号24+ 
    • 假一罚万，原厂原装有COC，长期有订货
    • QQ:800888908QQ：800888908 复制
    • 755-83950019 QQ:800888908
    • FP15R12KE3图

    • 上海意发电子科技有限公司

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    • FP15R12KE3 现货库存
    • 数量2000 
    • 厂家INFINEON 
    • 封装标准 
    • 批号21+ 
    • 六单元IGBT模块德国英飞凌INFINEON全新功率模块
    • QQ:3288808705QQ：3288808705 复制
    • -021-15800388789 QQ:3288808705
    • FP15R12KE3图

    • 上海典宇电子科技有限公司

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    • FP15R12KE3 现货库存
    • 数量5000 
    • 厂家德国英飞凌 
    • 封装全新原装 
    • 批号23+ 
    • 上海、深圳现货
    • QQ:291757417QQ：291757417 复制
      QQ:525189997QQ：525189997 复制
    • 0512-55277978 QQ:291757417QQ:525189997
    • FP15R12KE3图

    • 江苏华美半导体有限公司

       该会员已使用本站11年以上
    • FP15R12KE3 现货库存
    • 数量1050 
    • 厂家Infineon 
    • 封装原厂直销 实力商家 专业销售全新原装正品 
    • 批号2023+ 
    • QQ:1989265666QQ：1989265666 复制
    • 0512-82613006 QQ:1989265666
    • FP15R12KE3G图

    • 深圳市华来深电子有限公司

       该会员已使用本站13年以上
    • FP15R12KE3G 现货库存
    • 数量800 
    • 厂家INFINEON 
    • 封装只做进口原装正品，价格优惠，欢迎咨询 
    • 批号20+ 
    • 进口原装现货假一罚十
    • QQ:1258645397QQ：1258645397 复制
      QQ:876098337QQ：876098337 复制
    • 0755-83238902 QQ:1258645397QQ:876098337
    • FP15R12KE3图

    • 上海硅威科技有限公司

       该会员已使用本站9年以上
    • FP15R12KE3 现货库存
    • 数量8880 
    • 厂家Infineon 
    • 封装标准封装 
    • 批号22+ 
    • 公司只做全新原装进口正品 现货直销 质保一年
    • QQ:2885615943QQ：2885615943 复制
    • 400-1585-060 QQ:2885615943
    • FP15R12KE3图

    • 上海乙幸科技有限公司

    • FP15R12KE3 优势库存
    • 数量5000 
    • 厂家Infineon/英飞凌 
    • 封装原厂封装 
    • 批号23+ 
    • 专营模块！全新原装！仓库现货！价格优势大！
    • QQ:413109498QQ：413109498 复制
    • 0182-17792345 QQ:413109498
    • FP15R12KE3图

    • 深圳市拓森弘电子有限公司

       该会员已使用本站1年以上
    • FP15R12KE3
    • 数量1000 
    • 厂家IGBT模块 
    • 封装Infineon英飞凌 
    • 批号18+ 
    • 库存现货价优，质量稳定
    • QQ:1300774727QQ：1300774727 复制
    • 13714410484 QQ:1300774727
    • FP15R12KE3G图

    • 深圳市赛尔通科技有限公司

       该会员已使用本站12年以上
    • FP15R12KE3G
    • 数量8460 
    • 厂家INFINEON 
    • 封装模块 
    • 批号NEW 
    • 【优势库存】专业代理全新现货特价热卖
    • QQ:1134344845QQ：1134344845 复制
      QQ:847984313QQ：847984313 复制
    • 86-0755-83536093 QQ:1134344845QQ:847984313
    • FP15R12KE3图

    • 深圳市雅维特电子有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • FP15R12KE3
    • 数量20000 
    • 厂家EUPEC 
    • 封装深圳原装现货0755-83975781 
    • 批号模块 
    • QQ:767621813QQ：767621813 复制
      QQ:541766577QQ：541766577 复制
    • 0755-83975781 QQ:767621813QQ:541766577
    • FP15R12KE3图

    • 深圳市得捷芯城科技有限公司

       该会员已使用本站11年以上
    • FP15R12KE3
    • 数量8735 
    • 厂家Infineon(英飞凌) 
    • 封装NA/ 
    • 批号23+ 
    • 原厂直销，现货供应，账期支持！
    • QQ:3007977934QQ：3007977934 复制
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    • 0755-82546830 QQ:3007977934QQ:3007947087
    • FP15R12KE3图

    • 万三科技(深圳)有限公司

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    • FP15R12KE3
    • 数量660000 
    • 厂家Infineon(英飞凌) 
    • 封装AG-EASY2-1 
    • 批号23+ 
    • 支持实单/只做原装
    • QQ:3008961398QQ：3008961398 复制
    • 0755-21006672 QQ:3008961398
    • FP15R12KE3图

    • 北京齐天芯科技有限公司

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    • FP15R12KE3
    • 数量6000 
    • 厂家EUPEC 
    • 封装15A1200V 
    • 批号2024+ 
    • 原装正品，假一罚十
    • QQ:2880824479QQ：2880824479 复制
      QQ:1344056792QQ：1344056792 复制
    • 010-62104931 QQ:2880824479QQ:1344056792
    • FP15R12KE3图

    • 深圳市华芯盛世科技有限公司

       该会员已使用本站13年以上
    • FP15R12KE3
    • 数量865000 
    • 厂家原厂 
    • 封装原厂封装 
    • 批号最新批号 
    • 一级代理,原装特价现货！
    • QQ:2881475757QQ：2881475757 复制
    • 0755-83225692 QQ:2881475757
    • FP15R12KE3图

    • 上海熠富电子科技有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • FP15R12KE3
    • 数量120 
    • 厂家EUPEC 
    • 封装MOUDLE 
    • 批号2023 
    • 上海原装现货库存，欢迎查询！
    • QQ:2719079875QQ：2719079875 复制
      QQ:2300949663QQ：2300949663 复制
    • 15821228847 QQ:2719079875QQ:2300949663
    • FP15R12KE3图

    • 北京创易科技有限公司

       该会员已使用本站6年以上
    • FP15R12KE3
    • 数量585 
    • 厂家infineon 
    • 封装标准封装 
    • 批号16+ 
    • 全新原装现货，010-51659567 易经理
    • QQ:156807666QQ：156807666 复制
    • 010-51659567 QQ:156807666
    • FP15R12KE3图

    • 上海意淼电子科技有限公司

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    • FP15R12KE3
    • 数量20000 
    • 厂家EUPEC 
    • 封装模块 
    • 批号23+ 
    • 原装现货热卖！请联系吴先生 13681678667
    • QQ:617677003QQ：617677003 复制
    • 15618836863 QQ:617677003
    • FP15R12KE3G【优势库存】图

    • 齐创科技（上海北京青岛）有限公司

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    • FP15R12KE3G【优势库存】
    • 数量16000 
    • 厂家INFINEON代理 
    • 封装模块 
    • 批号24+热销 
    • 专业代理全新现货特价热卖
    • QQ:2394092314QQ：2394092314 复制
      QQ:792179102QQ：792179102 复制
    • 021-62153656 QQ:2394092314QQ:792179102
    • FP15R12KE3图

    • 上海磐岳电子有限公司

       该会员已使用本站11年以上
    • FP15R12KE3
    • 数量5800 
    • 厂家INFINEON 
    • 封装模块 
    • 批号2024+ 
    • 全新原装现货,杜绝假货。
    • QQ:3003653665QQ：3003653665 复制
      QQ:1325513291QQ：1325513291 复制
    • 021-60341766 QQ:3003653665QQ:1325513291
    • FP15R12KE3GBPSA1图

    • 深圳市鹏睿康科技有限公司

       该会员已使用本站16年以上
    • FP15R12KE3GBPSA1
    • 数量1200 
    • 厂家Infineon 
    • 封装只做原装 
    • 批号23+ 
    • 原装现货假一赔万，原包原标，支持实单
    • QQ:2885392746QQ：2885392746 复制
      QQ:2885392744QQ：2885392744 复制
    • 0755-83192793 QQ:2885392746QQ:2885392744
    • FP15R12KE3图

    • 深圳市勤思达科技有限公司

       该会员已使用本站14年以上
    • FP15R12KE3
    • 数量100 
    • 厂家INFINEON 
    • 封装 
    • 批号 
    • 原装现货，价格优惠
    • QQ:2881910282QQ：2881910282 复制
      QQ:2881239443QQ：2881239443 复制
    • 0755-83268779 QQ:2881910282QQ:2881239443
    • FP15R12KE3G IGBT图

    • 深圳市欧赛络斯电子有限公司

       该会员已使用本站5年以上
    • FP15R12KE3G IGBT
    • 数量8600 
    • 厂家EUPEC/欧派克 
    • 封装 
    • 批号22+ 
    • 全新原装，支持实单，非诚勿扰
    • QQ:1638768328QQ：1638768328 复制
    • 17665218829 QQ:1638768328
    • FP15R12KE3G图

    • 深圳市奥伟斯科技有限公司

       该会员已使用本站7年以上
    • FP15R12KE3G
    • 数量200 
    • 厂家EUPEC 
    • 封装IGBT 
    • 批号11+ 
    • 专注品牌,优势供应
    • QQ:3003412773QQ：3003412773 复制
      QQ:3003714016QQ：3003714016 复制
    • 0755-83254770 QQ:3003412773QQ:3003714016
    • FP15R12KE3G图

    • 深圳市宏诺德电子科技有限公司

       该会员已使用本站8年以上
    • FP15R12KE3G
    • 数量68000 
    • 厂家Infineon英飞凌 
    • 封装IGBT3 - E3 
    • 批号22+ 
    • 全新进口原厂原装，优势现货库存，有需要联系电话：18818596997 QQ：84556259
    • QQ:84556259QQ：84556259 复制
      QQ:783839662QQ：783839662 复制
    • 0755- QQ:84556259QQ:783839662
    • FP15R12KE3图

    • 深圳市昌和盛利电子有限公司

       该会员已使用本站11年以上
    • FP15R12KE3
    • 数量6582 
    • 厂家EUPEC【模块专卖★价格最低】 
    • 封装【原厂原包装】 
    • 批号▊ NEW ▊ 
    • ◆★█【IGBT模块专卖】★价格最低★！量大可定！欢迎惠顾！(长期高价回收全新原装正品电子元器件)
    • QQ:1551106297QQ：1551106297 复制
      QQ:3059638860QQ：3059638860 复制
    • 0755-23125986 QQ:1551106297QQ:3059638860
    • FP15R12KE3图

    • 深圳市珩瑞科技有限公司

       该会员已使用本站2年以上
    • FP15R12KE3
    • 数量563 
    • 厂家INFINEON 
    • 封装Modules 
    • 批号21+ 
    • ■■■全新原装房间现货 可长期供货
    • QQ:2938238007QQ：2938238007 复制
      QQ:1840507767QQ：1840507767 复制
    • -0755-82578309 QQ:2938238007QQ:1840507767
    • FP15R12KE3G图

    • 深圳市硅诺电子科技有限公司

       该会员已使用本站8年以上
    • FP15R12KE3G
    • 数量57200 
    • 厂家Infineon 
    • 封装 
    • 批号17+ 
    • 原厂指定分销商，有意请来电或QQ洽谈
    • QQ:1091796029QQ：1091796029 复制
      QQ:916896414QQ：916896414 复制
    • 0755-82772151 QQ:1091796029QQ:916896414
    • FP15R12KE3G图

    • 深圳市双微电子科技有限公司

       该会员已使用本站10年以上
    • FP15R12KE3G
    • 数量967 
    • 厂家EUPEC 
    • 封装模块 
    • 批号20+ 
    • 询货请加QQ 全新原装 现货库存
    • QQ:1965209269QQ：1965209269 复制
      QQ:1079402399QQ：1079402399 复制
    • 15889219681 QQ:1965209269QQ:1079402399
    • FP15R12KE3图

    • 上海乙幸科技有限公司

    • FP15R12KE3
    • 数量5000 
    • 厂家Infineon/英飞凌 
    • 封装原厂封装 
    • 批号23+ 
    • 只做原装！仓库现货！假一赔十！
    • QQ:413109498QQ：413109498 复制
    • 0182-17792345 QQ:413109498
    • FP15R12KE3图

    • 上海如美电子科技有限公司

       该会员已使用本站5年以上
    • FP15R12KE3
    • 数量0 
    • 厂家Infineon/英飞凌 
    • 封装厂家直销.IGBT模块.可控硅模块二极管整流桥 
    • 批号19+ 
    • 普通
    • QQ:823639999QQ：823639999 复制
    • 021-51097965 QQ:823639999
    • FP15R12KE3图

    • 上海典宇电子科技有限公司

       该会员已使用本站5年以上
    • FP15R12KE3
    • 数量1698 
    • 厂家英飞凌Infineon 
    • 封装Tray 
    • 批号23+ 
    • 只做全新原装，原厂渠道现货
    • QQ:291757417QQ：291757417 复制
      QQ:525189997QQ：525189997 复制
    • 0512-55277978 QQ:291757417QQ:525189997
    • FP15R12KE3GBOSA1图

    • 麦尔集团

       该会员已使用本站10年以上
    • FP15R12KE3GBOSA1
    • 数量1000 
    • 厂家INFINEON 
    • 封装十五周年庆典 
    • 批号N/A 
    • 百分百原装,拒绝假货!
    • QQ:1716771758QQ：1716771758 复制
      QQ:2574148071QQ：2574148071 复制
    • 88266576 QQ:1716771758QQ:2574148071
    • FP15R12KE3图

    • 深圳德田科技有限公司

       该会员已使用本站7年以上
    • FP15R12KE3
    • 数量9000 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装 
    • 批号新年份 
    • 原装现货，质量保证，可出样品!!!
    • QQ:229754250QQ：229754250 复制
    • 0755-83254070 QQ:229754250
    • FP15R12KE3图

    • 江苏华美半导体有限公司

       该会员已使用本站11年以上
    • FP15R12KE3
    • 数量0 
    • 厂家21+ 
    • 封装5000 
    • 批号 
    • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
    • QQ:1989265666QQ：1989265666 复制
    • 0512-82613006 QQ:1989265666

    产品型号FP15R12KE3的概述

    芯片FP15R12KE3的概述 FP15R12KE3是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的高压IGBT（绝缘栅双极晶体管），广泛应用于电能转化领域。IGBT是一种用于高效率和高功率应用的半导体器件，其结合了MOSFET（场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）两者的优点，具有高输入阻抗和低导通压降的特性。FP15R12KE3主要用于电力变换器、逆变器和电动机驱动等场合，因其性能稳定、效率高、散热能力强而受到用户的青睐。 芯片FP15R12KE3的详细参数 FP15R12KE3的技术参数十分重要，通常用来评估其性能和适用性。以下列出该芯片的一些主要技术参数： - 额定电压：1200V - 额定电流：15A - 最大脉冲电流：30A - 开关损耗：通常小于50W（取决于工作条件） - 最大结温：150°C - 门极电压：±20V - 开关时间：通常在微秒量级 - 热阻：约为0....

    产品型号FP15R12KE3的Datasheet PDF文件预览

    Technische Information / Technical Information  
    IGBT-Module  
    IGBT-Modules  
    FP15R12KE3  
    Vorläufig  
    Preliminary  
    Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
    Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
    Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier  
    Periodische Rückw. Spitzensperrspannung  
    Tvj =25°C  
    VRRM  
    1600  
    V
    repetitive peak reverse voltage  
    Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip  
    T
    T
    C =80°C  
    C =80°C  
    IFRMSM  
    25  
    36  
    A
    A
    RMS forward current per chip  
    Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom  
    maximum RMS current at Rectifier output  
    Stoßstrom Grenzwert  
    surge forward current  
    Grenzlastintegral  
    I2t - value  
    IRMSmax  
    IFSM  
    tP = 10 ms, Tvj  
    tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
    tP = 10 ms, Tvj 25°C  
    =
    25°C  
    196  
    158  
    192  
    125  
    A
    A
    I2t  
    A2s  
    A2s  
    =
    tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
    Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter  
    Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
    collector-emitter voltage  
    T
    vj =25°C  
    VCES  
    1200  
    V
    T
    C = 80°C  
    IC,nom.  
    IC  
    Kollektor-Dauergleichstrom  
    DC-collector current  
    15  
    27  
    A
    A
    TC = 25 °C  
    P = 1 ms,  
    Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
    repetitive peak collector current  
    t
    TC =80°C  
    ICRM  
    Ptot  
    30  
    89  
    A
    W
    V
    Gesamt-Verlustleistung  
    total power dissipation  
    T
    C = 25°C  
    Gate-Emitter-Spitzenspannung  
    gate-emitter peak voltage  
    VGES  
    +/- 20V  
    Diode Wechselrichter/ Diode Inverter  
    Dauergleichstrom  
    DC forward current  
    IF  
    IFRM  
    I2t  
    15  
    30  
    44  
    A
    A
    Periodischer Spitzenstrom  
    repetitive peak forw. current  
    t
    P = 1 ms  
    Grenzlastintegral  
    I2t - value  
    A2s  
    VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C  
    Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper  
    Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
    collector-emitter voltage  
    Tvj =25°C  
    VCES  
    1200  
    V
    T
    C = 80 °C  
    IC,nom.  
    IC  
    Kollektor-Dauergleichstrom  
    DC-collector current  
    15  
    27  
    A
    A
    TC = 25 °C  
    Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
    repetitive peak collector current  
    tP = 1 ms,  
    TC = 80°C  
    ICRM  
    Ptot  
    30  
    89  
    A
    W
    V
    Gesamt-Verlustleistung  
    total power dissipation  
    T
    C = 25°C  
    Gate-Emitter-Spitzenspannung  
    gate-emitter peak voltage  
    VGES  
    +/- 20V  
    Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper  
    Dauergleichstrom  
    DC forward current  
    IF  
    15  
    30  
    A
    A
    Periodischer Spitzenstrom  
    repetitive peak forw. current  
    tP = 1 ms  
    IFRM  
    prepared by: Thomas Passe  
    approved by: Ingo Graf  
    date of publication: 2002-02-13  
    revision: 6  
    1(12)  
    Technische Information / Technical Information  
    IGBT-Module  
    IGBT-Modules  
    FP15R12KE3  
    Vorläufig  
    Preliminary  
    Modul Isolation/ Module Isolation  
    Isolations-Prüfspannung  
    insulation test voltage  
    RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
    NTC connected to Baseplate  
    VISOL  
    2,5  
    kV  
    Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
    Charakteristische Werte / Characteristic values  
    Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier  
    min. typ. max.  
    Durchlaßspannung  
    T
    T
    T
    T
    vj = 150°C,  
    vj = 150°C  
    vj = 150°C  
    vj = 150°C,  
    IF =  
    VF  
    V(TO)  
    rT  
    15 A  
    -
    -
    -
    -
    1,05  
    0,80  
    15  
    -
    -
    -
    -
    V
    V
    forward voltage  
    Schleusenspannung  
    threshold voltage  
    Ersatzwiderstand  
    slope resistance  
    mꢀ  
    mA  
    Sperrstrom  
    reverse current  
    VR  
    =
    IR  
    1600 V  
    5
    Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip  
    lead resistance, terminals-chip  
    T
    C = 25°C  
    RAA'+CC'  
    -
    11  
    -
    mꢀ  
    min. typ. max.  
    Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter  
    V
    GE = 15V, Tvj  
    =
    25°C, IC  
    =
    =
    VCE sat  
    Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
    collector-emitter saturation voltage  
    15 A  
    15 A  
    -
    -
    1,7  
    2
    2,15  
    -
    V
    V
    VGE = 15V, Tvj = 125°C, IC  
    Gate-Schwellenspannung  
    gate threshold voltage  
    V
    CE = VGE Tvj = 25°C, IC  
    ,
    =
    VGE(TO)  
    Cies  
    0,5mA  
    4,5  
    5,5  
    1,0  
    5,0  
    -
    6,5  
    V
    f = 1MHz, Tvj = 25°C  
    Eingangskapazität  
    input capacitance  
    Kollektor-Emitter Reststrom  
    -
    -
    -
    -
    -
    nF  
    mA  
    nA  
    VCE = 25 V, VGE = 0 V  
    V
    GE = 0V, Tvj =125°C, VCE  
    =
    ICES  
    1200V  
    collector-emitter cut-off current  
    Gate-Emitter Reststrom  
    gate-emitter leakage current  
    VCE = 0V, VGE =20V, Tvj =25°C  
    IGES  
    400  
    I
    C = INenn  
    ,
    VCC  
    25°C, RG  
    =
    =
    =
    =
    =
    =
    =
    =
    =
    =
    =
    =
    =
    =
    Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
    turn on delay time (inductive load)  
    600 V  
    VGE = ±15V, Tvj  
    VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG  
    =
    td,on  
    68 Ohm  
    68 Ohm  
    600 V  
    68 Ohm  
    68 Ohm  
    600 V  
    68 Ohm  
    68 Ohm  
    600 V  
    68 Ohm  
    68 Ohm  
    600 V  
    -
    -
    56  
    57  
    -
    -
    ns  
    ns  
    IC = INenn  
    ,
    VCC  
    25°C, RG  
    Anstiegszeit (induktive Last)  
    rise time (inductive load)  
    VGE = ±15V, Tvj  
    VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG  
    =
    tr  
    -
    -
    30  
    40  
    -
    -
    ns  
    ns  
    IC = INenn  
    ,
    VCC  
    25°C, RG  
    Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
    turn off delay time (inductive load)  
    VGE = ±15V, Tvj  
    VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG  
    =
    td,off  
    -
    -
    337  
    421  
    -
    -
    ns  
    ns  
    IC = INenn  
    ,
    VCC  
    25°C, RG  
    Fallzeit (induktive Last)  
    fall time (inductive load)  
    VGE = ±15V, Tvj  
    =
    tf  
    -
    -
    66  
    87  
    -
    -
    ns  
    ns  
    VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG  
    C = INenn VCC  
    VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG  
    I
    ,
    Einschaltverlustenergie pro Puls  
    turn-on energy loss per pulse  
    Eon  
    Eoff  
    ISC  
    68 Ohm  
    80 nH  
    -
    -
    -
    2,2  
    1,6  
    68  
    -
    -
    -
    mWs  
    mWs  
    A
    LS =  
    I
    C = INenn  
    ,
    VCC  
    =
    =
    Abschaltverlustenergie pro Puls  
    turn-off energy loss per pulse  
    600 V  
    68 Ohm  
    80 nH  
    68 Ohm  
    720 V  
    VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG  
    LS =  
    tP ? 10µs, VGE ? 15V, RG  
    Tvj?125°C, VCC  
    =
    =
    Kurzschlußverhalten  
    SC Data  
    2(12)  
    Technische Information / Technical Information  
    IGBT-Module  
    IGBT-Modules  
    FP15R12KE3  
    Vorläufig  
    Preliminary  
    Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
    Charakteristische Werte / Characteristic values  
    min. typ. max.  
    Modulinduktivität  
    stray inductance module  
    L
    ꢀCE  
    -
    -
    40  
    nH  
    Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip  
    lead resistance, terminals-chip  
    T
    C = 25°C  
    RCC'+EE'  
    -
    14  
    -
    mꢀ  
    min. typ. max.  
    Diode Wechselrichter/ Diode Inverter  
    Durchlaßspannung  
    forward voltage  
    Rückstromspitze  
    peak reverse recovery current  
    V
    GE = 0V, Tvj  
    =
    25°C,  
    IF =  
    IF =  
    VF  
    IRM  
    Qr  
    15 A  
    15 A  
    500 A/us  
    600 V  
    600 V  
    500 A/us  
    600 V  
    600 V  
    500 A/us  
    600 V  
    600 V  
    -
    -
    1,7  
    1,7  
    2,1  
    -
    V
    V
    VGE = 0V, Tvj = 125°C,  
    IF=INenn  
    VGE = -10V, Tvj  
    VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR  
    IF=INenn  
    VGE = -10V, Tvj  
    VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR  
    IF=INenn  
    VGE = -10V, Tvj  
    VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR  
    ,
    - diF/dt =  
    25°C, VR  
    =
    =
    =
    -
    -
    18  
    16  
    -
    -
    A
    A
    ,
    - diF/dt =  
    25°C, VR  
    Sperrverzögerungsladung  
    recovered charge  
    =
    =
    =
    -
    -
    1,6  
    2,8  
    -
    -
    µAs  
    µAs  
    ,
    - diF/dt =  
    25°C, VR  
    Abschaltenergie pro Puls  
    reverse recovery energy  
    =
    =
    =
    Erec  
    -
    -
    0,5  
    1
    -
    -
    mWs  
    mWs  
    min. typ. max.  
    Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper  
    V
    GE = 15V, Tvj  
    =
    25°C, IC  
    =
    =
    VCE sat  
    Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
    collector-emitter saturation voltage  
    15,0 A  
    15,0 A  
    -
    -
    1,7  
    2
    2,15  
    -
    V
    V
    VGE = 15V, Tvj = 125°C, IC  
    Gate-Schwellenspannung  
    gate threshold voltage  
    V
    CE = VGE Tvj = 25°C, IC  
    ,
    =
    VGE(TO)  
    Cies  
    0,5mA  
    4,5  
    5,5  
    6,5  
    V
    f = 1MHz, Tvj = 25°C  
    Eingangskapazität  
    input capacitance  
    Kollektor-Emitter Reststrom  
    -
    -
    1,1  
    5,0  
    -
    -
    nF  
    VCE = 25 V, VGE = 0 V  
    mA  
    V
    GE = 0V, Tvj = 125°C, VCE  
    =
    1200V  
    collector-emitter cut-off current  
    Gate-Emitter Reststrom  
    gate-emitter leakage current  
    VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C  
    IGES  
    -
    -
    400  
    nA  
    min. typ. max.  
    Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper  
    Tvj  
    =
    25°C,  
    IF =  
    IF =  
    VF  
    Durchlaßspannung  
    forward voltage  
    15A  
    15A  
    -
    -
    2,05  
    2,15  
    2,65  
    -
    V
    V
    Tvj = 125°C,  
    min. typ. max.  
    NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor  
    Nennwiderstand  
    TC = 25°C  
    R25  
    ꢁR/R  
    P25  
    -
    5
    -
    kꢀ  
    %
    rated resistance  
    Abweichung von R100  
    deviation of R100  
    TC = 100°C, R100 = 493 ꢀ  
    -5  
    5
    Verlustleistung  
    power dissipation  
    T
    C = 25°C  
    20  
    mW  
    K
    B-Wert  
    B-value  
    R2 = R1 exp [B(1/T2 - 1/T1)]  
    B25/50  
    3375  
    3(12)  
    Technische Information / Technical Information  
    IGBT-Module  
    IGBT-Modules  
    FP15R12KE3  
    Vorläufig  
    Preliminary  
    Thermische Eigenschaften / Thermal properties  
    min. typ. max.  
    RthJH  
    Gleichr. Diode/ Rectif. Diode  
    Trans. Wechsr./ Trans. Inverter  
    Diode Wechsr./ Diode Inverter  
    Trans. Bremse/ Trans. Brake  
    ꢂ
    Paste=1W/m*K  
    grease=1W/m*K  
    -
    -
    -
    -
    1,9  
    1,6  
    3,2  
    1,6  
    -
    -
    -
    -
    K/W  
    K/W  
    K/W  
    K/W  
    Innerer Wärmewiderstand  
    thermal resistance, junction to heatsink  
    ꢂ
    Diode Bremse/ Diode Brake  
    Gleichr. Diode/ Rectif. Diode  
    -
    -
    4,0  
    -
    -
    K/W  
    K/W  
    RthJC  
    Innerer Wärmewiderstand  
    thermal resistance, junction to case  
    1,9  
    Trans. Wechsr./ Trans. Inverter  
    -
    -
    1,4  
    K/W  
    Diode Wechsr./ Diode Inverter  
    Trans. Bremse/ Trans. Brake  
    Diode Bremse/ Diode Brake  
    Gleichr. Diode/ Rectif. Diode  
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2,4  
    1,4  
    2,9  
    -
    K/W  
    K/W  
    K/W  
    K/W  
    RthCH  
    Übergangs-Wärmewiderstand  
    thermal resistance, case to heatsink  
    ꢂ
    Paste=1W/m*K  
    grease=1W/m*K  
    0,2  
    Trans. Wechsr./ Trans. Inverter  
    ꢂ
    -
    0,3  
    -
    K/W  
    Diode Wechsr./ Diode Inverter  
    Trans. Bremse/ Trans. Brake  
    Diode Bremse/ Diode Brake  
    -
    -
    -
    1
    0,3  
    1,4  
    -
    -
    -
    K/W  
    K/W  
    K/W  
    Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
    maximum junction temperature  
    Tvj  
    Top  
    Tstg  
    -
    -
    -
    -
    150  
    125  
    125  
    °C  
    °C  
    °C  
    Betriebstemperatur  
    operation temperature  
    -40  
    -40  
    Lagertemperatur  
    storage temperature  
    Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties  
    Innere Isolation  
    Al2O3  
    225  
    internal insulation  
    CTI  
    comperative tracking index  
    Anpreßkraft f. mech. Befestigung  
    mounting force  
    F
    N
    40...80  
    36  
    Gewicht  
    weight  
    G
    g
    Kontakt - Kühlkörper  
    Kriechstrecke  
    13,5  
    12  
    mm  
    mm  
    mm  
    mm  
    terminal to heatsink  
    creeping distance  
    Luftstrecke  
    clearance  
    Terminal - Terminal  
    Kriechstrecke  
    7,5  
    7,5  
    terminal - terminal  
    creeping distance  
    Luftstrecke  
    clearance  
    4(12)  
    Technische Information / Technical Information  
    IGBT-Module  
    IGBT-Modules  
    FP15R12KE3  
    Vorläufig  
    Preliminary  
    Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)  
    Output characteristic Inverter (typical)  
    IC = f (VCE  
    VGE = 15 V  
    )
    30  
    25  
    20  
    15  
    10  
    5
    Tj = 25°C  
    Tj = 125°C  
    0
    0,00  
    0,50  
    1,00  
    1,50  
    2,00  
    2,50  
    3,00  
    3,50  
    VCE [V]  
    Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)  
    Output characteristic Inverter (typical)  
    IC = f (VCE)  
    Tvj = 125°C  
    30  
    25  
    20  
    15  
    10  
    5
    9V  
    11V  
    13V  
    15V  
    17V  
    19V  
    0
    0,00  
    0,50  
    1,00  
    1,50  
    2,00  
    2,50  
    3,00  
    3,50  
    VCE [V]  
    5(12)  
    Technische Information / Technical Information  
    IGBT-Module  
    IGBT-Modules  
    FP15R12KE3  
    Vorläufig  
    Preliminary  
    Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch)  
    Transfer characteristic Inverter (typical)  
    IC = f (VGE  
    VCE = 20 V  
    )
    30  
    25  
    20  
    15  
    10  
    5
    Tj = 25°C  
    Tj = 125°C  
    0
    4,00  
    5,00  
    6,00  
    7,00  
    8,00  
    9,00  
    10,00  
    11,00  
    12,00  
    13,00  
    VGE [V]  
    Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) IF = f (VF)  
    Forward characteristic of FWD Inverter (typical)  
    30  
    25  
    20  
    15  
    10  
    5
    Tj = 25°C  
    Tj = 125°C  
    0
    0
    0,5  
    1
    1,5  
    2
    2,5  
    3
    VF [V]  
    6(12)  
    Technische Information / Technical Information  
    IGBT-Module  
    IGBT-Modules  
    FP15R12KE3  
    Vorläufig  
    Preliminary  
    Schaltverluste Wechselr. (typisch) E = f (IC), Eoff = f (IC), Erec = f (IC) VCC  
    =
    600 V  
    on  
    68 Ohm  
    Switching losses Inverter (typical)  
    Tj = 125°C,  
    VGE = ±15 V,  
    RGon = RGoff =  
    8
    7
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    Eon  
    Eoff  
    Erec  
    0
    5
    10  
    15  
    20  
    25  
    30  
    IC [A]  
    Schaltverluste Wechselr. (typisch)  
    Switching losses Inverter (typical)  
    E = f (RG), Eoff = f (RG), Erec = f (RG)  
    on  
    600 V  
    Tj = 125°C, VGE = +-15 V , Ic = Inenn  
    ,
    VCC =  
    4
    Eon  
    Eoff  
    Erec  
    3,5  
    3
    2,5  
    2
    1,5  
    1
    0,5  
    0
    60  
    70  
    80  
    90  
    100  
    110  
    120  
    130  
    140  
    150  
    RG [ꢀ]  
    7(12)  
    Technische Information / Technical Information  
    IGBT-Module  
    IGBT-Modules  
    FP15R12KE3  
    Vorläufig  
    Preliminary  
    Transienter Wärmewiderstand Wechselr.  
    Transient thermal impedance Inverter  
    ZthJH = f (t)  
    10,000  
    1,000  
    0,100  
    Zth-IGBT  
    Zth-FWD  
    i
    1
    2
    3
    4
    IGBT: ri [K/W]: 107,8e-3  
    417,3e-3  
    538,1e-3  
    536,8e-3  
    ꢀ [s]:  
    3e-6  
    FWD: ri [K/W]: 208,9e-3  
    ꢀ [s]: 3e-6  
    10,56e-3  
    1,05  
    78,7e-3  
    82,6,3e-3 229,7e-3  
    821,9e-3  
    10,16e-3  
    i
    1,12  
    225,6e-3  
    i
    0,001  
    0,01  
    0,1  
    1
    10  
    t [s]  
    Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA)  
    IC = f (VCE)  
    Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA)Tvj = 125°C, VGE = ±15V, RG  
    =
    68 Ohm  
    35  
    30  
    25  
    20  
    15  
    10  
    5
    Ic,chip  
    0
    0
    200  
    400  
    600  
    800  
    1000  
    1200  
    1400  
    VCE [V]  
    8(12)  
    Technische Information / Technical Information  
    IGBT-Module  
    IGBT-Modules  
    FP15R12KE3  
    Vorläufig  
    Preliminary  
    Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch)  
    Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical)  
    IC = f (VCE  
    )
    VGE = 15 V  
    30  
    25  
    Tj = 25°C  
    Tj = 125°C  
    20  
    15  
    10  
    5
    0
    0,00  
    0,50  
    1,00  
    1,50  
    2,00  
    2,50  
    3,00  
    3,50  
    VCE [V]  
    Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) IF = f (VF)  
    Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical)  
    30  
    25  
    20  
    15  
    10  
    5
    Tj = 25°C  
    Tj = 125°C  
    0
    0
    0,5  
    1
    1,5  
    2
    2,5  
    3
    VF [V]  
    9(12)  
    Technische Information / Technical Information  
    IGBT-Module  
    IGBT-Modules  
    FP15R12KE3  
    Vorläufig  
    Preliminary  
    Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch)  
    Forward characteristic of Rectifier Diode (typical)  
    IF = f (VF)  
    30  
    25  
    20  
    15  
    10  
    5
    Tj = 25°C  
    Tj = 150°C  
    0
    0
    0,2  
    0,4  
    0,6  
    0,8  
    1
    1,2  
    VF [V]  
    NTC- Temperaturkennlinie (typisch)  
    NTC- temperature characteristic (typical)  
    R = f (T)  
    100000  
    10000  
    1000  
    Rtyp  
    100  
    0
    20  
    40  
    60  
    80  
    100  
    120  
    140  
    TC [°C]  
    10(12)  
    Technische Information / Technical Information  
    IGBT-Module  
    IGBT-Modules  
    FP15R12KE3  
    Vorläufig  
    Preliminary  
    Schaltplan/ Circuit diagram  
    ꢀ
    Gehäuseabmessungen/ Package outlines  
    Bohrplan /  
    drilling layout  
    11(12)  
    Technische Information / Technical Information  
    IGBT-Module  
    IGBT-Modules  
    FP15R12KE3  
    Gehäuseabmessungen Forts. / Package outlines contd.  
    Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine  
    Eigenschaften zugesichert. Diese gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.  
    This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is  
    valid in combination with the belonging technical notes.  
    12(12)  
    Nutzungsbedingungen  
    Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die  
    Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der  
    bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.  
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    Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere  
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    Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu  
    den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in  
    Verbindung.  
    Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder  
    lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
    - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
    - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
    - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend  
    empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig  
    machen.  
    Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.  
    Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.  
    Terms & Conditions of usage  
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    characteristics.  
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    application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For  
    those that are specifically interested we may provide application notes.  
    Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please  
    contact the sales office, which is responsible for you.  
    Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify.  
    Please note, that for any such applications we urgently recommend  
    - to perform joint Risk and Quality Assessments;  
    - the conclusion of Quality Agreements;  
    - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on  
    the realization of any such measures.  
    If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.  
    Changes of this product data sheet are reserved.  
    配单直通车
    FP15R12KE3产品参数
    型号:FP15R12KE3
    生命周期：Transferred
    IHS 制造商：EUPEC GMBH & CO KG
    包装说明：MODULE-23
    Reach Compliance Code：unknown
    风险等级：5.54
    外壳连接：ISOLATED
    最大集电极电流 (IC)：27 A
    集电极-发射极最大电压：1200 V
    配置：COMPLEX
    门极-发射极最大电压：20 V
    JESD-30 代码：R-XUFM-X23
    元件数量：7
    端子数量：23
    最高工作温度：125 °C
    封装主体材料：UNSPECIFIED
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：FLANGE MOUNT
    极性/信道类型：N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)：89 W
    认证状态：Not Qualified
    子类别：Insulated Gate BIP Transistors
    表面贴装：NO
    端子形式：UNSPECIFIED
    端子位置：UPPER
    晶体管元件材料：SILICON
    标称断开时间 (toff)：508 ns
    标称接通时间 (ton)：97 ns
    VCEsat-Max：2.15 V
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
    • 厂商
    • 封装
    • 批号
    • 交易说明
    • 询价
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