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FQA34N20产品参数
型号:FQA34N20
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-3P
包装说明:TO-3P, 3 PIN
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.69
雪崩能效等级(Eas):640 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):34 A
最大漏极电流 (ID):34 A
最大漏源导通电阻:0.075 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):210 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):136 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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