FQA55N10产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P

详细描述：通孔 N 沟道 100V 61A（Tc） 190W（Tc） TO-3P

制造商：ON Semiconductor

系列：QFET®

包装：管件

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：61A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：26 毫欧 @ 30.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：98nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2730pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：190W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-3P

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

标准包装：450

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）