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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 八零友创集团

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  • 北京韶光科技有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD 
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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市芯为科技有限公司

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  • 湖人半导体(深圳)有限公司

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  • 深圳市集创讯科技有限公司

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FQA9N90C产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P

详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 280W(Tc) TO-3P

制造商:ON Semiconductor

系列:QFET®

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):900V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 4.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):58nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2730pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):280W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-3P

封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3

标准包装:450

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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