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  • 深圳市宇集芯电子有限公司

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  • 上海振基实业有限公司

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  • 深圳德田科技有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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FQB3N60CTM产品参数
型号:FQB3N60CTM
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
零件包装代码:D2PAK
包装说明:D2PAK-3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.37
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):150 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (ID):3 A
最大漏源导通电阻:3.4 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):12 A
认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:YES
端子面层:NOT SPECIFIED
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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