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  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥9.1元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 厂家FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR 
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  • 只做原装正品,深圳现货库存
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  • 批号最新批号 
  • 一级代理,原装特价现货!
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  • 0755-83225692 QQ:2881475757
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  • 封装原厂封装 
  • 批号23+ 
  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
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  • 批号22+ 
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  • 厂家Fairchild 
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  • 绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 封装D-PAK 
  • 批号24+ 
  • ★原装真实库存★13点税!
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  • 封装原装原封REEL 
  • 批号23+ 
  • ▉原厂渠道▉支持实单
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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 数量3000 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装TO252 
  • 批号23+ 
  • 全新原装公司现货销售
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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD 
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  • 批号17+ 
  • 原厂指定分销商,有意请来电或QQ洽谈
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  • 厂家FAIRCHILD 
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  • 批号2年内 
  • 全新原装 货源稳定 长期供应 提供配单
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 批号新年份 
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  • 羿芯诚只做原装 原厂渠道 价格优势
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  • 深圳市创芯联科技有限公司

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  • 数量15000 
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  • 批号2234+ 
  • 原厂货源/正品保证,诚信经营,欢迎询价
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  • 批号20+ 
  • 只做品牌原装假一赔十
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装TO252 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品全新进口深圳现货
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  • 数量20258 
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  • 百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
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产品型号FQD16N25CTM的概述

FQD16N25CTM 芯片概述 FQD16N25CTM 是一款 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应管),广泛应用于开关电源、增益放大、马达驱动和直流到直流转换器等电子电路中。该型号芯片由国际著名的半导体制造商 Fairchild Semiconductor(现为 ON Semiconductor 的一部分)生产,具备出色的电气特性和优良的热管理能力,适合于高频和高效率的应用场景。 FQD16N25CTM 的封装形式为 TO-220,这种封装设计便于散热,并适合通过通孔或表面贴装技术进行板级集成。此芯片以其兼具高电流承载能力和低导通电阻的特点,已成为许多电源电路设计的首选元器件。 FQD16N25CTM 的详细参数 基本参数 - 类型:N 沟道 MOSFET - 最大漏极源电压 (Vds):25V - 最大漏极电流 (Id):16A - 导通电阻 (Rds(on)):...

产品型号FQD16N25CTM的Datasheet PDF文件预览

March 2006  
®
QFET  
FQD16N25C  
250V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
16A, 250V, RDS(on) = 0.27@VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 41 nC)  
Low Crss ( typical 68 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche  
and commutation mode. These devices are well suited for high  
efficiency switching DC/DC converters, switch mode power  
supplies, DC-AC converters for uninterrupted power supplies  
and motor controls.  
D
G
D-PAK  
FQD Series  
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FQD16N25C  
Units  
V
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
250  
16  
Drain Current  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
- Pulsed  
A
10.1  
64  
A
(Note 1)  
IDM  
Drain Current  
A
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source Voltage  
± 30  
432  
V
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
16  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (TC = 25°C)  
160  
mJ  
V/ns  
W
5.5  
160  
- Derate above 25°C  
1.28  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
300  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FQD16N25C  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
0.78  
110  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
°C/W  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQD16N25C Rev. A  
1
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Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
FQD16N25C  
Device  
Package  
D-PAK  
Reel Size  
380mm  
Tape Width  
16mm  
Quantity  
2,500  
FQD16N25CTM  
FQD16N25CTF  
FQD16N25C  
D-PAK  
380mm  
16mm  
2,000  
Electrical Characteristics  
T
= 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ Max Units  
Off Characteristics  
BVDSS  
Drain-Source Breakdown Voltage  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
250  
--  
--  
--  
V
BVDSS  
TJ  
/
Breakdown Voltage Temperature Coefficient ID = 250 µA, Referenced to 25°C  
--  
0.31  
V/°C  
IDSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
VDS = 250 V, VGS = 0 V  
VDS = 200 V, TC = 125°C  
VGS = 30 V, VDS = 0 V  
VGS = -30 V, VDS = 0 V  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
10  
µA  
µA  
nA  
nA  
100  
100  
-100  
IGSSF  
IGSSR  
Gate-Body Leakage Current, Forward  
Gate-Body Leakage Current, Reverse  
On Characteristics  
VGS(th)  
RDS(on)  
gFS  
Gate Threshold Voltage  
VDS = VGS, ID = 250 µA  
2.0  
--  
--  
4.0  
0.27  
--  
V
S
Static Drain-Source On-Resistance  
Forward Transconductance  
VGS = 10 V, ID = 8A  
0.22  
10.5  
VDS = 40 V, ID =8 A  
(Note 4)  
--  
Dynamic Characteristics  
Ciss  
Coss  
Crss  
Input Capacitance  
VDS = 25 V, VGS = 0 V,  
f = 1.0 MHz  
--  
--  
--  
830  
170  
68  
1080  
220  
89  
pF  
pF  
pF  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Switching Characteristics  
td(on) Turn-On Delay Time  
tr  
td(off)  
tf  
VDD = 125 V, ID = 16A,  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
ns  
ns  
15  
130  
135  
105  
41  
40  
RG = 25 Ω  
Turn-On Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Turn-Off Fall Time  
Total Gate Charge  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
270  
280  
220  
ns  
(Note 4, 5)  
ns  
Qg  
VDS = 200 V, ID = 16A,  
GS = 10 V  
nC  
nC  
nC  
53.5  
--  
V
Qgs  
Qgd  
5.6  
(Note 4, 5)  
--  
22.7  
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings  
IS  
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current  
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
16  
64  
1.5  
--  
A
A
ISM  
VSD  
trr  
Drain-Source Diode Forward Voltage  
Reverse Recovery Time  
VGS = 0 V, IS = 16 A  
--  
V
VGS = 0 V, IS = 16 A,  
260  
2.47  
ns  
dIF / dt = 100 A/µs  
(Note 4)  
Qrr  
Reverse Recovery Charge  
--  
µC  
NOTES:  
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature  
2. L = 2.7mH, I = 16A, V = 50V, R = 25 Ω, Starting T = 25°C  
AS  
DD  
G
J
3. I 16A, di/dt 300A/µs, V BV Starting T = 25°C  
DSS, J  
SD  
DD  
4. Pulse Test : Pulse width 300µs, Duty cycle 2%  
5. Essentially independent of operating temperature  
2
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FQD16N25C Rev. A  
Typical Performance Characteristics  
Figure 1. On-Region Characteristics  
Figure 2. Transfer Characteristics  
VGS  
Top :  
15.0 V  
10.0 V  
8.0 V  
7.0 V  
6.5 V  
6.0 V  
5.5 V  
5.0 V  
101  
101  
150oC  
Bottom : 4.5 V  
25oC  
-55oC  
100  
100  
Notes :  
Notes :  
1. 250µ s Pulse Test  
2. TC = 25℃  
1. VDS = 40V  
2. 250µ s Pulse Test  
-1  
-1  
10  
10  
-1  
100  
101  
2
4
6
8
10  
10  
VGS, Gate-Source Voltage [V]  
VDS, Drain-Source Voltage [V]  
Figure 3. On-Resistance Variation vs.  
Drain Current and Gate Voltage  
Figure 4. Body Diode Forward Voltage  
Variation vs. Source Current  
and Temperatue  
1.5  
101  
1.0  
VGS = 10V  
100  
0.5  
150  
25℃  
VGS = 20V  
Notes :  
1. VGS = 0V  
Note : T = 25℃  
2. 250µ s Pulse Test  
J
-1  
0.0  
10  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
1.6  
1.8  
0
10  
20  
30  
40  
50  
VSD, Source-Drain voltage [V]  
ID, Drain Current [A]  
Figure 5. Capacitance Characteristics  
Figure 6. Gate Charge Characteristics  
3000  
12  
Ciss = Cgs + Cgd (Cds = shorted)  
Coss = Cds + Cgd  
Crss = Cgd  
VDS = 50V  
2500  
2000  
1500  
1000  
500  
10  
VDS = 125V  
VDS = 200V  
8
C
iss  
6
4
C
oss  
C
rss  
Notes :  
1. VGS = 0 V  
2. f = 1 MHz  
2
Note : ID = 15.6A  
0
10  
0
-1  
100  
101  
0
10  
20  
30  
40  
50  
QG, Total Gate Charge [nC]  
VDS, Drain-Source Voltage [V]  
3
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FQD16N25C Rev. A  
Typical Performance Characteristics (Continued)  
Figure 7. Breakdown Voltage Variation  
vs. Temperature  
Figure 8. On-Resistance Variation  
vs. Temperature  
1.2  
1.1  
1.0  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
Notes :  
1. VGS = 0 V  
0.9  
Notes :  
1. VGS = 10 V  
2. ID = 8.9 A  
0.5  
0.0  
2. ID = 250 µ A  
0.8  
-100  
-100  
-50  
0
50  
100  
150  
200  
-50  
0
50  
100  
150  
200  
TJ, Junction Temperature [oC]  
T, Junction Temperature [oC]  
J
Figure 9. Maximum Safe Operating Area  
Figure 10. Maximum Drain Current  
vs. Case Temperature  
20  
15  
10  
5
Operation in This Area  
is Limited by R DS(on)  
102  
10 µs  
100 µs  
1ms  
101  
100  
10-1  
10ms  
100ms  
DC  
* Notes :  
1. TC = 25 o  
2. TJ = 150 o  
3. Single Pulse  
C
C
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
100  
101  
102  
TC, Case Temperature [oC]  
VDS, Drain-SourceVoltage[V]  
Figure 11. Transient Thermal Response Curve  
100  
D=0.5  
0.2  
10-1  
0.1  
0.05  
PDM  
0.02  
0.01  
t1  
t2  
* Notes :  
1. Z? (t) = 0.78 0C/W Max.  
10-2  
JC  
single pulse  
2. Duty Factor, D=t1/t2  
3. TJM - TC = PDM * Z? (t)  
JC  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
101  
t1, Square Wave Pulse Duration [sec]  
4
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FQD16N25C Rev. A  
Gate Charge Test Circuit & Waveform  
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms  
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms  
5
www.fairchildsemi.com  
FQD16N25C Rev. A  
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms  
6
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FQD16N25C Rev. A  
Mechanical Dimensions  
D-PAK  
6.60 ±0.20  
5.34 ±0.30  
2.30 ±0.10  
0.50 ±0.10  
(0.50)  
(4.34)  
(0.50)  
MAX0.96  
0.76 ±0.10  
0.50 ±0.10  
1.02 ±0.20  
2.30 ±0.20  
2.30TYP  
2.30TYP  
[2.30±0.20]  
[2.30±0.20]  
6.60 ±0.20  
(5.34)  
(5.04)  
(1.50)  
(2XR0.25)  
0.76 ±0.10  
Dimensions in Millimeters  
7
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FQD16N25C Rev. A  
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MicroFET™  
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SuperSOT™-8  
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FACT™  
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®
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Rev. I18  
8
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FQD16N25C Rev. A  
配单直通车
FQD16N25CTM产品参数
型号:FQD16N25CTM
Brand Name:Fairchild Semiconductor
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
零件包装代码:DPAK
包装说明:ROHS COMPLIANT, DPAK-3
针数:3
制造商包装代码:TO252 (D-PAK), MOLDED, 3 LEAD,OPTION AA &AB
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.69
Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):432 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):16 A
最大漏极电流 (ID):16 A
最大漏源导通电阻:0.27 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):64 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
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