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    八零友创集团0755-88917717/88917797/88279729███【坚持原装正品】████ 和我即时交谈 和我即时交谈

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FQI9N50CTU产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK

详细描述:通孔 N 沟道 500V 9A(Tc) 135W(Tc) I2PAK(TO-262)

制造商:ON Semiconductor

系列:QFET®

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):500V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):800 毫欧 @ 4.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):35nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1030pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):135W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:I2PAK(TO-262)

封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

标准包装:1,000

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