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FQP33N10产品参数和技术文档

FQP33N10产品图

FQP33N10产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
1.60000
$1.60
10
1.42100
$14.21
100
1.12330
$112.33
500
0.87116
$435.58
1,000
0.68776
$687.76

FQP33N10产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 100V 33A TO-220

详细描述:通孔 N 沟道 100V 33A(Tc) 127W(Tc) TO-220-3

制造商:ON Semiconductor

系列:QFET®

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):52 毫欧 @ 16.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):51nC @ 10V

Vgs(最大值):±25V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1500pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):127W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220-3

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:1,000

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