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FQP50N06产品参数和技术文档

FQP50N06产品图

FQP50N06产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
1.91000
$1.91
10
1.69300
$16.93
100
1.33830
$133.83
500
1.03788
$518.94
1,000
0.81938
$819.38

FQP50N06产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO-220

详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) 120W(Tc) TO-220-3

制造商:ON Semiconductor

系列:QFET®

包装:管件

零件状态:不適用於新設計

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):22 毫欧 @ 25A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):41nC @ 10V

Vgs(最大值):±25V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1540pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):120W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220-3

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:1,000

其它名称:FQP50N06-ND FQP50N06FS

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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