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型号: | FQP6N15 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete |
IHS 制造商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | TO-220, 3 PIN |
针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.66 |
Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 65 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 150 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6.4 A |
最大漏极电流 (ID): | 6.4 A |
最大漏源导通电阻: | 0.6 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 63 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 25.6 A |
认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
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