FQP70N10 芯片概述 FQP70N10是一个增强型N沟MOSFET（场效应晶体管），广泛应用于各种电子电路中，包括电源管理、开关电源和马达驱动等领域。该器件因其高效能、低导通电阻以及大电流承载能力而受到设计工程师的青睐。 详细参数 根据FQP70N10的规格书，该芯片的基本参数如下： - 最大漏极源极电压（Vds）：100V - 最大漏极电流（Id）：70A（在适当的散热条件下） - 最大功耗（Pd）：94W（在25°C环境温度下） - 门源极电压（Vgs）：±20V - 导通电阻（Rds(on)）：0.045Ω（Vgs = 10V时） - 开关时间（ton）：大约为30ns - 关断时间（toff）：大约为60ns 这些参数使得FQP70N10在处理高电压和高电流的应用时非常可靠。 厂家、包装与封装 FQP70N10的主要制造商是Fairchild Semiconductor...