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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 深圳市晨豪科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市凯睿晟科技有限公司

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产品型号FQP9N30的概述

芯片FQP9N30的概述与详细参数分析 一、引言 在现代电子设备中,功率MOSFET在功率转换和开关控制中扮演着至关重要的角色。FQP9N30作为一种高性能功率N沟道MOSFET广泛应用于各类开关电源、电机驱动和逆变器等领域。本文将围绕FQP9N30的详细参数、制造商、包装封装、引脚及电路图说明...
配单直通车
FQP9N30产品参数
型号:FQP9N30
Brand Name:Fairchild Semiconductor
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码:TO-220
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
制造商包装代码:3LD, TO220, JEDEC, MOLDED
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.71
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):420 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):9 A
最大漏极电流 (ID):9 A
最大漏源导通电阻:0.45 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):98 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):36 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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