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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 首天国际(深圳)集团有限公司

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  • 深圳市华科泰电子商行

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FQP9N30产品参数和技术文档

FQP9N30产品图

FQP9N30产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
1.48000
$1.48
10
1.31500
$13.15
100
1.03940
$103.94
500
0.80604
$403.02
1,000
0.63635
$636.35

FQP9N30产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 300V 9A TO-220

详细描述:通孔 N 沟道 300V 9A(Tc) 98W(Tc) TO-220AB

制造商:ON Semiconductor

系列:QFET®

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):300V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):450 毫欧 @ 4.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):22nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):750pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):98W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:1,000

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