欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购
所在地: 型号: 精确
  • 批量询价
  •  
  • 供应商
  • 型号
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
  • 询价
更多
  • FQPF3N90图
  • 北京中其伟业科技有限公司

     该会员已使用本站16年以上
  • FQPF3N90 现货库存
  • 数量5580 
  • 厂家 
  • 封装 
  • 批号16+ 
  • 价格及优,真实库存,全新原装正品!!
  • QQ:2880824479QQ:2880824479 复制
  • 010-62104891 QQ:2880824479
  • FQPF3N90图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

     该会员已使用本站15年以上
  • FQPF3N90
  • 数量98500 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装 
  • 批号23+ 
  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
  • QQ:2881495751QQ:2881495751 复制
  • 0755-88917743 QQ:2881495751
  • FQPF3N90图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

     该会员已使用本站15年以上
  • FQPF3N90
  • 数量85000 
  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
  • 封装16+ 
  • 批号23+ 
  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
  • QQ:2881495753QQ:2881495753 复制
  • 0755-23605827 QQ:2881495753
  • FQPF3N90图
  • 深圳市高捷芯城科技有限公司

     该会员已使用本站11年以上
  • FQPF3N90
  • 数量7828 
  • 厂家onsemi(安森美) 
  • 封装TO-220F 
  • 批号23+ 
  • 支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
  • QQ:3007977934QQ:3007977934 复制
    QQ:3007947087QQ:3007947087 复制
  • 0755-83062789 QQ:3007977934QQ:3007947087
  • FQPF3N90图
  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

     该会员已使用本站11年以上
  • FQPF3N90
  • 数量425 
  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
  • 封装NA/ 
  • 批号23+ 
  • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
  • QQ:3007977934QQ:3007977934 复制
    QQ:3007947087QQ:3007947087 复制
  • 0755-82546830 QQ:3007977934QQ:3007947087
  • FQPF3N90图
  • 集好芯城

     该会员已使用本站13年以上
  • FQPF3N90
  • 数量13037 
  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
  • 封装SOT220 
  • 批号最新批次 
  • 原装原厂 现货现卖
  • QQ:3008092965QQ:3008092965 复制
    QQ:3008092965QQ:3008092965 复制
  • 0755-83239307 QQ:3008092965QQ:3008092965
  • FQPF3N90图
  • 深圳市华科泰电子商行

     该会员已使用本站13年以上
  • FQPF3N90
  • 数量6800 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装TO-220 
  • 批号05+ 
  • 绝对原装现货特价
  • QQ:405945546QQ:405945546 复制
    QQ:1439873477QQ:1439873477 复制
  • 0755-82567800 QQ:405945546QQ:1439873477
  • FQPF3N90C图
  • 北京首天国际有限公司

     该会员已使用本站16年以上
  • FQPF3N90C
  • 数量3000 
  • 厂家FSC 
  • 封装FSC 
  • 批号16+ 
  • 百分百原装正品,现货库存
  • QQ:528164397QQ:528164397 复制
    QQ:1318502189QQ:1318502189 复制
  • 010-62565447 QQ:528164397QQ:1318502189
  • FQPF3N90A图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

     该会员已使用本站11年以上
  • FQPF3N90A
  • 数量78800 
  • 厂家ON-安森美 
  • 封装TO-220-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
  • QQ:43871025QQ:43871025 复制
  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
  • FQPF3N90A图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

     该会员已使用本站11年以上
  • FQPF3N90A
  • 数量78800 
  • 厂家ON-安森美 
  • 封装TO-220-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
  • QQ:43871025QQ:43871025 复制
  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
  • FQPF3N902SK3566图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

     该会员已使用本站11年以上
  • FQPF3N902SK3566
  • 数量78800 
  • 厂家ON-安森美 
  • 封装TO-220-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
  • QQ:43871025QQ:43871025 复制
  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
  • FQPF3N90图
  • 北京元坤伟业科技有限公司

     该会员已使用本站17年以上
  • FQPF3N90
  • 数量5000 
  • 厂家FSC 
  • 封装TO-220 
  • 批号16+ 
  • 百分百原装正品,现货库存
  • QQ:857273081QQ:857273081 复制
    QQ:1594462451QQ:1594462451 复制
  • 010-62106431 QQ:857273081QQ:1594462451
  • FQPF3N90图
  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

     该会员已使用本站13年以上
  • FQPF3N90
  • 数量865000 
  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
  • 封装16+ 
  • 批号最新批号 
  • 一级代理,原装特价现货!
  • QQ:2881475757QQ:2881475757 复制
  • 0755-83225692 QQ:2881475757
  • FQPF3N90图
  • 深圳市晶美隆科技有限公司

     该会员已使用本站14年以上
  • FQPF3N90
  • 数量12736 
  • 厂家FSC 
  • 封装TO-220 
  • 批号23+ 
  • 全新原装正品现货特价
  • QQ:2885348339QQ:2885348339 复制
    QQ:2885348317QQ:2885348317 复制
  • 0755-82519391 QQ:2885348339QQ:2885348317
  • FQPF3N90图
  • 深圳市创芯联科技有限公司

     该会员已使用本站9年以上
  • FQPF3N90
  • 数量15000 
  • 厂家FSC 
  • 封装TO-220F 
  • 批号2234+ 
  • 原厂货源/正品保证,诚信经营,欢迎询价
  • QQ:1219895042QQ:1219895042 复制
    QQ:3061298850QQ:3061298850 复制
  • 0755-23606513 QQ:1219895042QQ:3061298850
  • FQPF3N90图
  • 深圳市芳益电子科技有限公司

     该会员已使用本站10年以上
  • FQPF3N90
  • 数量30000 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装 
  • 批号2023+ 
  • 原装现货大量库存 低价出售 欢迎加Q详谈
  • QQ:498361569QQ:498361569 复制
    QQ:389337416QQ:389337416 复制
  • 0755-13631573466 QQ:498361569QQ:389337416
  • FQPF3N90图
  • 上海振基实业有限公司

     该会员已使用本站13年以上
  • FQPF3N90
  • 数量1636 
  • 厂家Fairchild 
  • 封装原厂封装 
  • 批号23+ 
  • 全新原装现货/另有约30万种现货,欢迎来电!
  • QQ:330263063QQ:330263063 复制
    QQ:1985476892QQ:1985476892 复制
  • 021-59159268 QQ:330263063QQ:1985476892
  • FQPF3N90A图
  • 深圳市捷兴胜微电子科技有限公司

     该会员已使用本站13年以上
  • FQPF3N90A
  • 数量5000 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装TO-220 
  • 批号07+无铅 
  • 原装 现货 专业FAIRCHILD光耦 功率器件供应 优势库存热卖中!
  • QQ:838417624QQ:838417624 复制
    QQ:929605236QQ:929605236 复制
  • 0755-23997656(现货库存配套一站采购及BOM优化) QQ:838417624QQ:929605236
  • FQPF3N90图
  • 深圳市欧立现代科技有限公司

     该会员已使用本站12年以上
  • FQPF3N90
  • 数量5784 
  • 厂家FSC 
  • 封装TO-220F 
  • 批号24+ 
  • 全新原装现货,欢迎询购!
  • QQ:1950791264QQ:1950791264 复制
    QQ:221698708QQ:221698708 复制
  • 0755-83222787 QQ:1950791264QQ:221698708
  • FQPF3N90图
  • 北京睿科新创电子中心

     该会员已使用本站9年以上
  • FQPF3N90
  • 数量
  • 厂家21+ 
  • 封装 
  • 批号面议 
  • 全新原装环保
  • QQ:765972029QQ:765972029 复制
    QQ:744742559QQ:744742559 复制
  • 010-62556580 QQ:765972029QQ:744742559
  • FQPF3N90图
  • 深圳市一线半导体有限公司

     该会员已使用本站15年以上
  • FQPF3N90
  • 数量5000 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装TO-220 
  • 批号 
  • 全新原装部分现货其他订货
  • QQ:2881493920QQ:2881493920 复制
    QQ:2881493921QQ:2881493921 复制
  • 0755-88608801多线 QQ:2881493920QQ:2881493921
  • FQPF3N90_NL图
  • 深圳市一线半导体有限公司

     该会员已使用本站11年以上
  • FQPF3N90_NL
  • 数量5000 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装TO-220 
  • 批号 
  • 全新原装部分现货其他订货
  • QQ:2881493920QQ:2881493920 复制
    QQ:2881493921QQ:2881493921 复制
  • 0755-88608801多线 QQ:2881493920QQ:2881493921
  • FQPF3N90C图
  • 深圳市一线半导体有限公司

     该会员已使用本站16年以上
  • FQPF3N90C
  • 数量25000 
  • 厂家原厂品牌 
  • 封装原厂外观 
  • 批号 
  • 全新原装部分现货其他订货
  • QQ:2881493920QQ:2881493920 复制
    QQ:2881493921QQ:2881493921 复制
  • 0755-88608801多线 QQ:2881493920QQ:2881493921
  • fqpf3n90cf图
  • 深圳市一线半导体有限公司

     该会员已使用本站11年以上
  • fqpf3n90cf
  • 数量25000 
  • 厂家原厂品牌 
  • 封装原厂外观 
  • 批号 
  • 全新原装部分现货其他订货
  • QQ:2881493920QQ:2881493920 复制
    QQ:2881493921QQ:2881493921 复制
  • 0755-88608801多线 QQ:2881493920QQ:2881493921
  • FQPF3N90C图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

     该会员已使用本站16年以上
  • FQPF3N90C
  • 数量15792 
  • 厂家FSC 
  • 封装TO-220F 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
  • QQ:364510898QQ:364510898 复制
    QQ:515102657QQ:515102657 复制
  • 0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:364510898QQ:515102657
  • FQPF3N90图
  • 深圳市富科达科技有限公司

     该会员已使用本站13年以上
  • FQPF3N90
  • 数量24652 
  • 厂家FSC 
  • 封装TO-220 
  • 批号2020+ 
  • 全新原装进口现货特价热卖,长期供货
  • QQ:1327510916QQ:1327510916 复制
    QQ:1220223788QQ:1220223788 复制
  • 0755-28767101 QQ:1327510916QQ:1220223788
  • FQPF3N90图
  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

     该会员已使用本站8年以上
  • FQPF3N90
  • 数量35000 
  • 厂家FSC 
  • 封装TO220F 
  • 批号17+ 
  • 原厂指定分销商,有意请来电或QQ洽谈
  • QQ:1091796029QQ:1091796029 复制
    QQ:916896414QQ:916896414 复制
  • 0755-82772151 QQ:1091796029QQ:916896414
  • FQPF3N90B图
  • 深圳市一线半导体有限公司

     该会员已使用本站11年以上
  • FQPF3N90B
  • 数量25000 
  • 厂家原厂品牌 
  • 封装原厂外观 
  • 批号 
  • 全新原装部分现货其他订货
  • QQ:2881493920QQ:2881493920 复制
    QQ:2881493921QQ:2881493921 复制
  • 0755-88608801多线 QQ:2881493920QQ:2881493921
  • FQPF3N90A图
  • 深圳市一线半导体有限公司

     该会员已使用本站16年以上
  • FQPF3N90A
  • 数量5000 
  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装TO-220 
  • 批号 
  • 全新原装部分现货其他订货
  • QQ:2881493920QQ:2881493920 复制
    QQ:2881493921QQ:2881493921 复制
  • 0755-88608801多线 QQ:2881493920QQ:2881493921

产品型号FQPF3N90的概述

芯片FQPF3N90的概述 FQPF3N90是一款功率MOSFET(场效应晶体管),它在现代电子设备中广泛应用。由于其较低的导通电阻、高速开关特性和高耐压能力,FQPF3N90成为了电源转换、开关电源及其他高功率应用的理想选择。 芯片FQPF3N90的详细参数 FQPF3N90厚膜工艺制造,具备以下关键参数: 1. 额定电压:850V 2. 额定电流:3.9A 3. 导通电阻 (Rds(on)):0.3Ω(Vgs = 10V时测得的参数) 4. 栅源电压 (Vgs):±20V 5. 最大功耗:94W 6. 工作温度范围:-55°C到+150°C 此外,性能参数还包括开关速度、体二极管反向恢复时间等,这些特性对电源电路的设计和效率影响颇大。FQPF3N90的优越电气特性使其在设计时提供了更多选择,并帮助工程师优化系统性能。 芯片FQPF3N90的厂家、包装、封装 FQPF3N90由ON...

产品型号FQPF3N90的Datasheet PDF文件预览

September 2000  
TM  
QFET  
FQPF3N90  
900V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supply.  
2.1A, 900V, RDS(on) = 4.25 @ VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 20 nC)  
Low Crss ( typical 8.0 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
"
! "  
"
!
G
"
G D  
S
TO-220F  
FQPF Series  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
VDSS  
Parameter  
FQPF3N90  
900  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
- Pulsed  
Drain Current  
2.1  
A
1.33  
8.4  
A
IDM  
(Note 1)  
Drain Current  
A
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source Voltage  
± 30  
450  
V
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
2.1  
EAR  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (TC = 25°C)  
4.3  
mJ  
V/ns  
W
dv/dt  
PD  
4.0  
43  
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.34  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
TJ, TSTG  
TL  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
300  
°C  
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
2.9  
Units  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
62.5  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, September 2000  
Electrical Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
Off Characteristics  
BVDSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
D = 250 µA, Referenced to 25°C  
Drain-Source Breakdown Voltage  
900  
--  
--  
--  
--  
V
BVDSS  
Breakdown Voltage Temperature  
I
1.0  
V/°C  
/
TJ Coefficient  
IDSS  
V
DS = 900 V, VGS = 0 V  
DS = 720 V, TC = 125°C  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
10  
µA  
µA  
nA  
nA  
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
100  
100  
-100  
IGSSF  
IGSSR  
VGS = 30 V, VDS = 0 V  
VGS = -30 V, VDS = 0 V  
Gate-Body Leakage Current, Forward  
Gate-Body Leakage Current, Reverse  
On Characteristics  
VGS(th)  
VDS = VGS, ID = 250 µA  
Gate Threshold Voltage  
3.0  
--  
--  
5.0  
4.25  
--  
V
S
RDS(on)  
Static Drain-Source  
On-Resistance  
VGS=10V,ID=1.05 A  
3.3  
3.1  
gFS  
VDS = 50 V, ID = 1.05 A  
(Note 4)  
Forward Transconductance  
--  
Dynamic Characteristics  
Ciss  
Coss  
Crss  
Input Capacitance  
--  
--  
--  
700  
65  
910  
85  
pF  
pF  
pF  
V
DS = 25 V, VGS = 0 V,  
Output Capacitance  
f = 1.0 MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
8.0  
10  
Switching Characteristics  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn-On Delay Time  
Turn-On Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Turn-Off Fall Time  
Total Gate Charge  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
18  
45  
40  
35  
20  
4.3  
9.1  
45  
100  
90  
80  
26  
--  
ns  
ns  
VDD = 450 V, ID = 3.6 A,  
RG = 25 Ω  
ns  
(Note 4, 5)  
(Note 4, 5)  
ns  
Qg  
nC  
nC  
nC  
VDS = 720 V, ID = 3.6 A,  
Qgs  
Qgd  
VGS = 10 V  
--  
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings  
IS  
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
2.1  
8.4  
1.4  
--  
A
A
ISM  
VSD  
trr  
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current  
VGS = 0 V, IS = 2.1 A  
GS = 0 V, IS = 3.6 A,  
dIF / dt = 100 A/µs  
Drain-Source Diode Forward Voltage  
Reverse Recovery Time  
--  
V
V
510  
3.2  
ns  
µC  
(Note 4)  
Qrr  
Reverse Recovery Charge  
--  
Notes:  
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature  
2. L = 193mH, I = 2.1A, V = 50V, R = 25 Ω, Starting T = 25°C  
AS  
DD  
G
J
3. I 3.6A, di/dt 200A/µs, V BV Starting T = 25°C  
SD  
DD  
DSS, J  
4. Pulse Test : Pulse width 300µs, Duty cycle 2%  
5. Essentially independent of operating temperature  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, September 2000  
Typical Characteristics  
VGS  
Top :  
15.0 V  
10.0 V  
8.0 V  
7.0 V  
6.5 V  
6.0 V  
100  
150oC  
25oC  
Bottom : 5.5 V  
100  
-55oC  
-1  
10  
Notes :  
μ
Notes :  
1. 250 s Pulse Test  
1. VDS = 50V  
2. TC = 25  
μ
2. 250 s Pulse Test  
-2  
-1  
10  
10  
-1  
100  
101  
2
4
6
8
10  
10  
VGS, Gate-Source Voltage [V]  
VDS, Drain-Source Voltage [V]  
Figure 1. On-Region Characteristics  
Figure 2. Transfer Characteristics  
8
7
6
5
4
3
2
VGS = 10V  
VGS = 20V  
100  
150  
25  
Notes :  
1. VGS = 0V  
Note : T = 25  
μ
2. 250 s Pulse Test  
J
-1  
10  
0
2
4
6
8
10  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
ID, Drain Current [A]  
VSD, Source-Drain voltage [V]  
Figure 3. On-Resistance Variation vs.  
Drain Current and Gate Voltage  
Figure 4. Body Diode Forward Voltage  
Variation vs. Source Current and  
Temperature  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
12  
10  
8
C
C
C
iss = Cgs + Cgd (Cds = shorted)  
oss = Cds + Cgd  
rss = Cgd  
VDS = 180V  
VDS = 450V  
C
iss  
VDS = 720V  
6
C
oss  
Notes :  
4
1. VGS = 0 V  
2. f = 1 MHz  
C
rss  
2
Note : ID = 3.6 A  
18  
0
-1  
10  
100  
101  
0
3
6
9
12  
15  
21  
QG, Total Gate Charge [nC]  
VDS, Drain-Source Voltage [V]  
Figure 5. Capacitance Characteristics  
Figure 6. Gate Charge Characteristics  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, September 2000  
Typical Characteristics (Continued)  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
1.2  
1.1  
1.0  
Notes :  
0.9  
0.8  
1. VGS = 0 V  
Notes :  
1. VGS = 10 V  
2. ID = 1.8 A  
μ
A
2. ID = 250  
-100  
-50  
0
50  
100  
150  
200  
-100  
-50  
0
50  
100  
150  
200  
TJ, Junction Temperature [oC]  
T, Junction Temperature [oC]  
J
Figure 7. Breakdown Voltage Variation  
vs. Temperature  
Figure 8. On-Resistance Variation  
vs. Temperature  
2.4  
2.0  
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0.0  
Operation in This Area  
is Limited by R DS(on)  
101  
100 µs  
1 ms  
10 ms  
100 ms  
100  
DC  
-1  
10  
Notes :  
1. TC = 25 o  
2. TJ = 150 o  
3. Single Pulse  
C
C
-2  
10  
100  
101  
102  
103  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
TC, Case Temperature [  
]
VDS, Drain-Source Voltage [V]  
Figure 9. Maximum Safe Operating Area  
Figure 10. Maximum Drain Current  
vs. Case Temperature  
D = 0 .5  
1 0 0  
0 .2  
N o te s  
1 . Z θ J C(t)  
2 . D u ty F a c to r, D = t1 /t2  
:
/W M a x.  
=
2 .9  
0 .1  
3 . T J M  
-
T C  
=
P D  
* Z θ J C(t)  
M
0 .0 5  
1 0 -1  
0 .0 2  
PDM  
0 .0 1  
t1  
t2  
s in g le p u ls e  
1 0 -2  
1 0 -5  
1 0 -4  
1 0 -3  
1 0 -2  
1 0 -1  
1 0 0  
1 0 1  
t1 , S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]  
Figure 11. Transient Thermal Response Curve  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, September 2000  
Gate Charge Test Circuit & Waveform  
VGS  
Same Type  
50KΩ  
as DUT  
Qg  
12V  
200nF  
10V  
300nF  
VDS  
VGS  
Qgs  
Qgd  
DUT  
3mA  
Charge  
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms  
RL  
VDS  
90%  
VDS  
VDD  
VGS  
RG  
10%  
VGS  
DUT  
10V  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
t on  
t off  
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms  
BVDSS  
--------------------  
BVDSS - VDD  
L
1
2
2
----  
EAS  
=
L IAS  
VDS  
I D  
BVDSS  
IAS  
RG  
VDD  
ID (t)  
VDD  
VDS (t)  
DUT  
10V  
t p  
t p  
Time  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, September 2000  
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms  
+
DUT  
VDS  
_
I SD  
L
Driver  
RG  
Same Type  
as DUT  
VDD  
VGS  
• dv/dt controlled by RG  
• ISD controlled by pulse period  
Gate Pulse Width  
--------------------------  
VGS  
D =  
Gate Pulse Period  
10V  
( Driver )  
IFM , Body Diode Forward Current  
I SD  
di/dt  
( DUT )  
IRM  
Body Diode Reverse Current  
Body Diode Recovery dv/dt  
VSD  
VDS  
( DUT )  
VDD  
Body Diode  
Forward Voltage Drop  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, September 2000  
Package Dimensions  
TO-220F  
2.54 ±0.20  
10.16 ±0.20  
ø3.18 ±0.10  
(7.00)  
(0.70)  
(1.00x45°)  
MAX1.47  
0.80 ±0.10  
#1  
0.35 ±0.10  
+0.10  
–0.05  
0.50  
2.76 ±0.20  
2.54TYP  
2.54TYP  
[2.54 ±0.20]  
[2.54 ±0.20]  
9.40 ±0.20  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, September 2000  
TRADEMARKS  
The following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is not  
intended to be an exhaustive list of all such trademarks.  
VCX™  
ACEx™  
FASTr™  
QFET™  
Bottomless™  
CoolFET™  
CROSSVOLT™  
DOME™  
E CMOS™  
EnSigna™  
GlobalOptoisolator™  
GTO™  
HiSeC™  
QS™  
QT Optoelectronics™  
Quiet Series™  
SuperSOT™-3  
SuperSOT™-6  
SuperSOT™-8  
SyncFET™  
TinyLogic™  
UHC™  
ISOPLANAR™  
MICROWIRE™  
OPTOLOGIC™  
OPTOPLANAR™  
POP™  
2
FACT™  
FACT Quiet Series™  
®
®
FAST  
PowerTrench  
DISCLAIMER  
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY  
PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY  
LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN;  
NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.  
LIFE SUPPORT POLICY  
FAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT  
DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  
INTERNATIONAL.  
As used herein:  
1. Life support devices or systems are devices or systems  
which, (a) are intended for surgical implant into the body,  
or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform  
when properly used in accordance with instructions for use  
provided in the labeling, can be reasonably expected to  
result in significant injury to the user.  
2. A critical component is any component of a life support  
device or system whose failure to perform can be  
reasonably expected to cause the failure of the life support  
device or system, or to affect its safety or effectiveness.  
PRODUCT STATUS DEFINITIONS  
Definition of Terms  
Datasheet Identification  
Product Status  
Definition  
Advance Information  
Formative or In  
Design  
This datasheet contains the design specifications for  
product development. Specifications may change in  
any manner without notice.  
Preliminary  
First Production  
This datasheet contains preliminary data, and  
supplementary data will be published at a later date.  
Fairchild Semiconductor reserves the right to make  
changes at any time without notice in order to improve  
design.  
No Identification Needed  
Obsolete  
Full Production  
This datasheet contains final specifications. Fairchild  
Semiconductor reserves the right to make changes at  
any time without notice in order to improve design.  
Not In Production  
This datasheet contains specifications on a product  
that has been discontinued by Fairchild semiconductor.  
The datasheet is printed for reference information only.  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. F1  
配单直通车
FQPF3N90产品参数
型号:FQPF3N90
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
零件包装代码:TO-220F
包装说明:TO-220F, 3 PIN
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.31
雪崩能效等级(Eas):450 mJ
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:900 V
最大漏极电流 (ID):2.1 A
最大漏源导通电阻:4.25 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:NOT APPLICABLE
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):8.4 A
认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
  •  
  • 供货商
  • 型号 *
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
  • 询价
批量询价选中的记录已选中0条,每次最多15条。
 复制成功!