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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 北京首天国际有限公司

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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市高捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市创芯联科技有限公司

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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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产品型号FQPF3N90的概述

芯片FQPF3N90的概述 FQPF3N90是一款功率MOSFET(场效应晶体管),它在现代电子设备中广泛应用。由于其较低的导通电阻、高速开关特性和高耐压能力,FQPF3N90成为了电源转换、开关电源及其他高功率应用的理想选择。 芯片FQPF3N90的详细参数 FQPF3N90厚膜工艺制造,具备...
配单直通车
FQPF3N90产品参数
型号:FQPF3N90
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
零件包装代码:TO-220F
包装说明:TO-220F, 3 PIN
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.31
雪崩能效等级(Eas):450 mJ
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:900 V
最大漏极电流 (ID):2.1 A
最大漏源导通电阻:4.25 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:NOT APPLICABLE
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):8.4 A
认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
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