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FAIRCHILD FQPF85N06
中文翻译
60V N-Channel MOSFET
60V N沟道MOSFET

FQPF85N06详细参数

Brand Name
Fairchild Semiconductor
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
零件包装代码
TO-220F
包装说明
TO-220F, 3 PIN
针数
3
制造商包装代码
TO220, MOLDED, 3LD, FULL PACK, EIAJ SC91, STRAIGHT LEAD
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
风险等级
5.69
雪崩能效等级(Eas)
820 mJ
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
53 A
最大漏极电流 (ID)
53 A
最大漏源导通电阻
0.01 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
JESD-609代码
e3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
62 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
212 A
认证状态
Not Qualified
子类别
FET General Purpose Power
表面贴装
NO
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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