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品牌:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 400V 3.4A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) I-PAK
制造商:ON Semiconductor
系列:QFET®
包装:管件
零件状态:在售
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):400V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 1.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):13nC @ 10V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):460pF @ 25V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):2.5W(Ta),45W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:I-PAK
封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
标准包装:5,040
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