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  • 江苏芯钻时代电子科技有限公司

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  • 上海硅威科技有限公司

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  • 上海意发电子科技有限公司

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  • 深圳市珩瑞科技有限公司

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  • 上海紫卓电子科技有限公司

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FZ1200R33KL2C产品参数
型号:FZ1200R33KL2C
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:MODULE
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9
针数:9
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.78
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):2300 A
集电极-发射极最大电压:3300 V
配置:COMPLEX
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X9
湿度敏感等级:1
元件数量:3
端子数量:9
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):225
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):14500 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):4250 ns
标称接通时间 (ton):1700 ns
VCEsat-Max:3.65 V
Base Number Matches:1
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