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  • FZ800R16KF4S1图
  • 江苏华美半导体有限公司

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  • FZ800R16KF4S1
  • 数量1880 
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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • FZ800R16KF4S1
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  • 封装模块封装 
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配单直通车
FZ800R17KF6CB2产品参数
型号:FZ800R17KF6CB2
生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.68
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):1300 A
集电极-发射极最大电压:1700 V
配置:COMPLEX
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X7
元件数量:2
端子数量:7
最高工作温度:125 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):6600 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):1220 ns
标称接通时间 (ton):440 ns
VCEsat-Max:3.1 V
Base Number Matches:1
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