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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 深圳市能元时代电子有限公司

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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • ★只做原装★正品现货★原盒原标★
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  • 首天国际(深圳)科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:364510898QQ:515102657
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
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  • 深圳市华科泰电子商行

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  • 批号05+06NOPB3KM 
  • 绝对原装现货特价
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  • 深圳市集创讯科技有限公司

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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 封装SOT-223 
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  • 全新原装公司现货销售
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 厂家Diodes(达尔(美台)) 
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  • 支持实单/只做原装
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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 数量3782 
  • 厂家Diodes 
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  • 原装正品★真实库存★价格优势★欢迎来电洽谈
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  • 深圳市积美福电子科技有限公司

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  • 数量1560 
  • 厂家DIODES/美台 
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  • 只做原装正品,深圳现货库存
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 封装SOT-223 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥7一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市宇集芯电子有限公司

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  • 数量99000 
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  • 封装SOT-223 
  • 批号23+ 
  • 一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理
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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 上海原装现货库存,欢迎查询!
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  • 深圳市三得电子有限公司

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  • 深圳原装现货库存,欢迎咨询合作
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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 数量9812 
  • 厂家DIODES 
  • 封装SOT-223 
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  • 全新原装现货,欢迎询购!
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  • 深圳市凯信扬科技有限公司

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  • 上海磐岳电子有限公司

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  • 深圳市宏世佳电子科技有限公司

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  • 数量5425 
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  • 全新原厂原装产品、公司现货销售
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  • 深圳市创芯联科技有限公司

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  • 数量15000 
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  • 封装SOT223 
  • 批号2234+ 
  • 原厂货源/正品保证,诚信经营,欢迎询价
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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • 百分之百进口原装现货假一罚百
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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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  • 数量30000 
  • 厂家ZETEX 
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  • 深圳市婷轩实业有限公司

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  • 数量5000 
  • 厂家Diodes Incorporated 
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  • 上海金庆电子技术有限公司

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  • 全新原装 货期两周
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产品型号FZT789ATA的概述

芯片FZT789ATA的概述 FZT789ATA是一款由富士(Fujitsu)公司设计和制造的高性能三极管,广泛应用于功率放大器、开关电源以及电机驱动等领域。凭借其优异的热稳定性和高效率,这款芯片在各种电子设备中展现了良好的性能。由于其优秀的电气特性,FZT789ATA被广泛应用于自动化控制系统、消费类电子产品以及通信设备中。 芯片FZT789ATA的详细参数 FZT789ATA的主要参数包括: - 最大集电极—发射极电压 (VCE):通常其最大VCE可达到100V,这使得其在高电压环境中依然能够稳定工作。 - 最大集电极电流 (IC):最大集电极电流可达10A,为各种电力驱动提供了强大的支持。 - 功耗:该芯片支持高达125W的功耗,这使得它在高功率应用中的表现极为出色。 - 增益特性 (hFE):在大多数工作条件下,FZT789ATA的电流增益能够达到50-150,确保在放大器和开...

产品型号FZT789ATA的Datasheet PDF文件预览

A Product Line of  
Diodes Incorporated  
Green  
FZT789A  
25V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223  
Features  
Mechanical Data  
Case: SOT223  
Case material: molded plastic. “Green” molding compound.  
UL Flammability Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminals: Finish - Matte Tin Plated Leads, Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
BVCEO > -25V  
C = -3A high Continuous Current  
Low saturation voltage VCE(sat) < -250mV @ -1A  
CE(sat) = 93mfor a low equivalent On-Resistance  
FE specified up to -6A for a high gain hold up  
I
R
h
Complementary NPN Type: FZT689B  
Lead-Free Finish; RoHS compliant (Notes 1 & 2)  
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
PPAP capable (Note 4)  
Weight: 0.112 grams (approximate)  
Applications  
Power MOSFET & IGBT gate driving  
Battery powered circuits  
Fast charge converters  
Low loss power switching  
SOT223  
C
E
B
C
C
B
E
Top View  
Top View  
Pin-Out  
Device Symbol  
Ordering Information (Notes 4 & 5)  
Product  
FZT789ATA  
FZT789AQTA  
Compliance  
AEC-Q101  
Automotive  
Marking  
FZT789A  
FZT789A  
Reel size (inches)  
Tape width (mm)  
Quantity per reel  
1,000  
7
7
12  
12  
1,000  
Notes:  
1. EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant. All applicable RoHS exemptions applied.  
2. See http://www.diodes.com for more information about Diodes Incorporated’s definitions of Halogen- and Antimony-free, "Green" and Lead-free.  
3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and  
<1000ppm antimony compounds.  
4. Automotive products are AEC-Q101 qualified and are PPAP capable. Automotive, AEC-Q101 and standard products are electrically and thermally  
the same, except where specified.  
5. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com  
Marking Information  
FZT  
789A  
FZT789A = Product Type Marking  
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January 2013  
© Diodes Incorporated  
FZT789A  
Document Number DS33168 Rev. 5 - 2  
A Product Line of  
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FZT789A  
Maximum Ratings (@TA = +25°C, unless otherwise specified.)  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
-30  
-25  
-7  
Unit  
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
Continuous Collector Current  
Peak Pulse Current  
-3  
A
-6  
A
ICM  
Thermal Characteristics (@TA = +25°C, unless otherwise specified.)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
2
3
62.5  
41.7  
12.93  
Unit  
W
W
°C/W  
°C/W  
°C/W  
(Note 6)  
(Note 7)  
(Note 6)  
(Note 7)  
(Note 8)  
Power Dissipation  
PD  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Leads  
RθJL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
°C  
ESD Ratings (Note 9)  
Characteristic  
Electrostatic Discharge - Human Body Model  
Electrostatic Discharge - Machine Model  
Symbol  
ESD HBM  
ESD MM  
Value  
4,000  
400  
Unit  
V
V
JEDEC Class  
3A  
C
Notes:  
6. For a device surface mounted on 25mm X 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1 oz copper, in still air conditions; device measured when  
operating in steady state condition.  
7. Same as note (6), except the device is mounted on 50mm X 50mm single sided 2oz weight copper.  
8. Thermal resistance from junction to solder-point (at the end of the collector lead).  
9. Refer to JEDEC specification JESD22-A114 and JESD22-A115.  
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FZT789A  
Document Number DS33168 Rev. 5 - 2  
A Product Line of  
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FZT789A  
Thermal Characteristics and Derating Information  
70  
50  
40  
30  
20  
10  
0
Tamb=25°C  
Tamb=25°C  
60  
25mm x 25mm  
50mm x 50mm  
2oz FR4  
2oz FR4  
50  
40  
D=0.5  
D=0.5  
30  
Single Pulse  
Single Pulse  
20  
10  
0
D=0.2  
D=0.2  
D=0.05  
D=0.05  
D=0.1  
D=0.1  
10  
100µ 1m 10m 100m  
1
100  
1k  
100µ 1m 10m 100m  
1
10  
100  
1k  
Pulse Width (s)  
Pulse Width (s)  
Transient Thermal Impedance  
Transient Thermal Impedance  
3.0  
Single Pulse  
Tamb=25°C  
50mm x 50mm  
2oz FR4  
100  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
25mm x 25mm  
2oz FR4  
50mm x 50mm  
2oz FR4  
10  
25mm x 25mm  
2oz FR4  
1
100µ 1m 10m 100m  
1
10  
100  
1k  
0
20 40 60 80 100 120 140 160  
Pulse Width (s)  
Temperature (°C)  
Pulse Power Dissipation  
Derating Curve  
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FZT789A  
Document Number DS33168 Rev. 5 - 2  
A Product Line of  
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FZT789A  
Electrical Characteristics (@TA = +25°C, unless otherwise specified.)  
Characteristic  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min  
-30  
-25  
-7  
Typ  
-40  
-35  
-8.5  
<1  
Max  
Unit  
V
Test Condition  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 8)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
IC = -100µA  
IC = -10mA  
IE = -100µA  
VCB = -15V  
V
V
-100  
-10  
-100  
-100  
-0.25  
-0.45  
-0.50  
-1.0  
-1.1  
800  
nA  
µA  
nA  
nA  
Collector Cut-off Current  
ICBO  
<1  
VCB = -15V, Tamb = 100°C  
VCE = -15V  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
ICES  
IEBO  
<1  
-0.15  
-0.30  
-0.30  
-0.80  
-0.75  
VEB = -5.6V  
IC = -1A, IB = -10mA  
Collector-Emitter Saturation Voltage (Note 8)  
V
VCE(sat)  
IC = -2A, IB = -20mA  
IC = -3A, IB = -100mA  
IC = -1A, IB = -10mA  
IC = -1A, VCE = -2V  
Base-Emitter Saturation Voltage (Note 8)  
Base-Emitter Turn-On Voltage (Note 8)  
V
V
VBE(sat)  
VBE(on)  
300  
250  
200  
100  
I
C = -10mA, VCE = -2V  
IC = -1A, VCE = -2V  
IC = -2A, VCE = -2V  
IC = -6A, VCE = -2V  
DC Current Gain (Note 8)  
hFE  
VCE = -5V, IC = -50mA  
f = 50MHz  
Current Gain-Bandwidth Product (Note 8)  
100  
MHz  
fT  
Turn-On Time  
35  
400  
225  
25  
ns  
ns  
pF  
pF  
ton  
toff  
V
CC = -10V, IC = -500mA  
Turn-Off Time  
IB1 = IB2 = -50mA  
Input Capacitance (Note 8)  
Output Capacitance (Note 8)  
Cibo  
Cobo  
VEB = -0.5V, f = 1MHz  
VCB = -10V, f = 1MHz  
Notes:  
8. Measured under pulsed conditions. Pulse width 300µs. Duty cycle 2%  
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FZT789A  
Document Number DS33168 Rev. 5 - 2  
A Product Line of  
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FZT789A  
Typical Electrical Characteristics (@TA = +25°C, unless otherwise specified.)  
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FZT789A  
Document Number DS33168 Rev. 5 - 2  
A Product Line of  
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FZT789A  
Package Outline Dimensions  
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.  
SOT223  
Dim Min Max Typ  
A
1.55 1.65 1.60  
A1 0.010 0.15 0.05  
b1  
b2  
C
D
E
E1  
e
e1  
L
2.90 3.10 3.00  
0.60 0.80 0.70  
0.20 0.30 0.25  
6.45 6.55 6.50  
3.45 3.55 3.50  
6.90 7.10 7.00  
4.60  
2.30  
0.85 1.05 0.95  
0.84 0.94 0.89  
A
Q
All Dimensions in mm  
A1  
Suggested Pad Layout  
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.  
X1  
Y1  
Dimensions Value (in mm)  
X1  
X2  
Y1  
Y2  
C1  
C2  
3.3  
1.2  
1.6  
1.6  
6.4  
2.3  
C1  
Y2  
C2  
X2  
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FZT789A  
Document Number DS33168 Rev. 5 - 2  
A Product Line of  
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FZT789A  
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INCLUDING, BUT NOT LIMITED TO, THE IMPLIED WARRANTIES OF MERCHANTABILITY AND FITNESS FOR A PARTICULAR PURPOSE  
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FZT789A  
Document Number DS33168 Rev. 5 - 2  
配单直通车
FZT789ATA产品参数
型号:FZT789ATA
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.12
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):3 A
基于收集器的最大容量:60 pF
集电极-发射极最大电压:25 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):300
JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1
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