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| 型号: | G1A |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| IHS 制造商： | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
| 零件包装代码： | DO-204 |
| 包装说明： | E-LALF-W2 |
| 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.42 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | PATENTED DEVICE |
| 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V |
| JEDEC-95代码： | DO-204AP |
| JESD-30 代码： | E-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 50 A |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 1 A |
| 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ELLIPTICAL |
| 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 50 V |
| 最大反向恢复时间： | 1.5 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
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