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GA20SICP12-263产品参数
型号:GA20SICP12-263
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Contact Manufacturer
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.24
FET 技术:JUNCTION
最高工作温度:175 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):131 W
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
Base Number Matches:1
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