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  • GB25RF120K图
  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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GB25RF120K产品参数
型号:GB25RF120K
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
包装说明:LEAD FREE, ECONO2PIM-24
针数:24
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:20 weeks 1 day
风险等级:5.26
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):40 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:COMPLEX
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X24
JESD-609代码:e3
元件数量:7
端子数量:24
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):198 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN OVER NICKEL (197)
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLE
晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):740 ns
标称接通时间 (ton):130 ns
Base Number Matches:1
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