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  • 深圳市美森特电子有限公司

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  • GB35XF120K
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  • 厂家Vishay General Semiconductor - Diodes Di 
  • 封装NOA 
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配单直通车
GB35XF120K产品参数
型号:GB35XF120K
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17
针数:17
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.24
Is Samacsys:N
其他特性:UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):50 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X17
元件数量:6
端子数量:17
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):284 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):645 ns
标称接通时间 (ton):85 ns
VCEsat-Max:3 V
Base Number Matches:1
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