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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 厂家SEP 
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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 原厂指定分销商,有意请来电或QQ洽谈
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  • 北京首天国际有限公司

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  • 厂家LITEON/PANJIT 
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 厂家YFW(佑风微) 
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  • 支持实单/只做原装
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 封装KBJ4 
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  • 深圳市婷轩实业有限公司

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  • 厂家Diodes Incorporated 
  • 封装GBJ 
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 厂家YANGJIE(扬杰) 
  • 封装6KBJ 
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  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 深圳德田科技有限公司

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  • 原装正品现货,可出样品!!!
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  • 深圳市能元时代电子有限公司

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  • 公司原装现货可含税!假一罚十!
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  • 集好芯城

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  • 深圳市赛尔通科技有限公司

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  • 【现货库存】全新原装假一罚百热卖现货
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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 原装正品★真实库存★价格优势★欢迎来电洽谈
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家MCC-美微科 
  • 封装SIP-4 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥4.7元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家DIODES-美台 
  • 封装SIP-4 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥12.2元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 厂家GBJ 
  • 封装DIP 
  • 批号2023 
  • 上海原装现货库存,欢迎查询!
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  • 昂富(深圳)电子科技有限公司

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  • 数量33509 
  • 厂家DIODES/美台 
  • 封装GBJ 
  • 批号23+ 
  • 一站式BOM配单,短缺料找现货,怕受骗,就找昂富电子.
  • QQ:GTY82dX7
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 数量750 
  • 厂家YJ 
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  • 批号新年份 
  • 羿芯诚只做原装,原厂渠道,价格优势可谈!
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  • 0755-82570683 QQ:2853992132
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  • 深圳市宇集芯电子有限公司

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  • 数量99000 
  • 厂家SEP 
  • 封装KBJ-15 
  • 批号23+ 
  • 一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理
  • QQ:1157099927QQ:1157099927 复制
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  • 北京顺科电子科技有限公司

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  • 数量5500 
  • 厂家扬杰科技 
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  • 进口品牌//国产品牌代理商18911556207
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  • 上海硅威科技有限公司

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  • 厂家Microsemi/美高森美 
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  • 公司只做全新原装进口正品 现货直销 质保一年
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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市捷兴胜微电子科技有限公司

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  • 厂家SEP/HY 
  • 封装扁桥 
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  • 全新自己库存,市场最低价格,欢迎来人来电洽谈
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 厂家Diodes Incorporated 
  • 封装原厂原装 
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  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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产品型号GBJ1010的概述

芯片GBJ1010的概述 GBJ1010是一种广泛应用于电源整流和高功率电路中的二极管桥式整流器。它主要用于将交流电源转换为直流电源,广泛应用于家用电器、工业设备及其他电源模块。GBJ1010的设计使其能够承受较高的电压和电流,同时保持出色的导电性能和较低的正向降压。 芯片GBJ1010的详细参数 GBJ1010的主要参数包括: 1. 额定电流:通常在10A的范围内,这使得该芯片能够处理大多数家电和中小型工业设备的需求。 2. 额定电压:GBJ1010的额定反向电压为1000V,这使得其适用于高电压的应用。 3. 正向电压降:在额定电流条件下,其正向电压降约为1.1V,具体数值可能因温度和电流变化而有所不同。 4. 工作温度范围:GBJ1010的工作温度可以在-40°C至+125°C之间,确保其在恶劣环境下的稳定性。 5. 封装方式:GBJ1010通常采用DIP封装,便于安装和散热。 ...

产品型号GBJ1010的Datasheet PDF文件预览

GBJ10005 - GBJ1010  
10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER  
Features  
·
·
·
·
·
·
Glass Passivated Die Construction  
High Case Dielectric Strength of 1500VRMS  
Low Reverse Leakage Current  
Surge Overload Rating to 170A Peak  
Ideal for Printed Circuit Board Applications  
Plastic Material - UL Flammability  
Classification 94V-0  
UL Listed Under Recognized Component  
Index, File Number E94661  
GBJ  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
29.70  
19.70  
17.00  
3.80  
7.30  
9.80  
2.00  
0.90  
2.30  
Max  
30.30  
20.30  
18.00  
4.20  
L
A
M
K
7.70  
·
G
H
I
10.20  
2.40  
B
D
S
N
_
Mechanical Data  
1.10  
J
P
J
2.70  
·
·
Case: Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads, Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
H
I
C
K
L
3.0 X 45°  
R
4.40  
3.40  
3.10  
2.50  
0.60  
10.80  
4.80  
3.80  
3.40  
2.90  
0.80  
11.20  
·
·
·
·
·
Polarity: Molded on Body  
M
N
P
Mounting: Through Hole for #6 Screw  
Mounting Torque: 5.0 in-lbs Maximum  
Weight: 6.6 grams (approx.)  
Marking: Type Number  
G
E
E
R
S
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
GBJ  
GBJ  
GBJ  
1002  
GBJ  
1004  
GBJ  
1006  
GBJ  
1008  
GBJ  
1010  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
10005 1001  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
280  
10  
V
A
Average Forward Rectified Output Current  
@ TC= 110°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single  
half-sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC method)  
IFSM  
170  
A
Forward Voltage per element  
@ IF = 5.0A  
VFM  
IR  
1.05  
V
10  
500  
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@TC 25°C  
=
mA  
@ TC = 125°C  
I2t Rating for Fusing (t < 8.3ms) (Note 1)  
I2t  
Cj  
120  
55  
A2s  
pF  
Typical Junction Capacitance per Element (Note 2)  
Typical Thermal Resistance, Junction to Case (Note 3)  
Operating and Storage Temperature Range  
RqJC  
Tj, TSTG  
1.4  
°C/W  
°C  
-65 to +150  
Notes:  
1. Non-repetitive, for t > 1.0ms and < 8.3ms.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3. Thermal resistance from junction to case per element. Unit mounted on 150 x 150 x 1.6mm copper plate heat sink.  
DS21218 Rev. D-2  
1 of 2  
GBJ10005-GBJ1010  
12  
10  
1.0  
10  
8
with heatsink  
TJ = 25°C  
6
4
2
0.1  
without heatsink  
Resistive or  
Inductive load  
Pulse width = 300µs  
0
0.01  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6 1.8  
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)  
Fig. 2 Typical Forward Characteristics (per element)  
TC, CASE TEMPERATURE (°C)  
Fig. 1 Forward Current Derating Curve  
180  
160  
100  
Tj = 25°C  
f = 1MHz  
Single half-sine-wave  
(JEDEC method)  
TJ = 150°C  
120  
80  
10  
40  
0
1
1
100  
10  
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz  
Fig. 3 Maximum Non-Repetitive Surge Current  
1
10  
100  
VR, REVERSE VOLTAGE (V)  
Fig. 4 Typical Junction Capacitance  
1000  
TJ = 150°C  
TJ = 125°C  
100  
TJ = 100°C  
10  
1.0  
TJ = 25°C  
0.1  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)  
Fig. 5 Typical Reverse Characteristics  
DS21218 Rev. D-2  
2 of 2  
GBJ10005-GBJ1010  
配单直通车
GBJ1010产品参数
型号:GBJ1010
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
包装说明:PLASTIC, GBJ, 4 PIN
针数:4
Reach Compliance Code:not_compliant
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.21
Samacsys Confidence:4
Samacsys Status:Released
Samacsys PartID:1298144
Samacsys Pin Count:4
Samacsys Part Category:Bridge Rectifier
Samacsys Package Category:Other
Samacsys Footprint Name:GBJ1010-2
Samacsys Released Date:2019-03-30 00:34:53
Is Samacsys:N
其他特性:UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.05 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T4
JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:170 A
元件数量:4
相数:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
最大输出电流:10 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):235
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1
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