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产品型号GBJ25M的Datasheet PDF文件预览

GBJ25A THRU GBJ25M  
SINTERED GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER  
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts  
Forward Current - 25.0 Amperes  
D
E
T
N
GBJ  
E
T
A
P
FEATURES  
1.193(30.3)  
1.169(29.7)  
.203(5.16)  
.189(4.80)  
HOLE FOR NO.  
6 SCREW  
.150(3.8)  
.134(3.4)  
* Internal Constructure with GPRC (Glass Passivated Rectifier Chip)  
inside  
.134 (3.4)  
.122 (3.1)  
* High Case Dielectric Strength of 1500VRMS  
* Low Reverse Leakage Current  
+
~
~ -  
* High Surge Current Capability  
.106(2.7)  
.096(2.3)  
.114(2.9)  
.098(2.5)  
* Ideal for Printed Circuit Board Applications  
* Plastic Material-UL Recognition Flammability  
Classification 94V-0  
.094(2.4)  
.078(2.0)  
.043(1.1)  
.035(0.9)  
.031(0.8)  
.023(0.6)  
.402 .303 .303  
.386 .287 .287  
(10.2) (7.7) (7.7)  
(9.8) (7.3) (7.3)  
MECHANICAL DATA  
*Dimensions in inches and (millimeters)  
Case : GBJ molded plastic  
Terminals : Plated Leads, solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
Polarity : Molded on body  
SuperBridge with GPRC inside  
Mounting : Through Hole for # 6 screw  
Mounting torque : 5.0 in-lbs maximum  
Weight : 6.6 grams  
TM  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature  
GBJ25A GBJ25B GBJ25D GBJ25G GBJ25J GBJ25K GBJ25M  
SYMBOLS  
UNITS  
unless otherwise specified.  
Volts  
Volts  
Volts  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
V
RRM  
RMS  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
1000  
Maximum DC blocking voltage  
V
DC  
100  
Maximum average forward (with heatsink Note 2) rectified  
current at TC  
=100oC  
I
(AV)  
25  
Amps  
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC Method)  
I
FSM  
350  
Amps  
Volts  
uA  
Maximum instantaneous forward voltage @ I  
F
=12.5 A  
VF  
1.05  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
@T  
@T  
C
C
=25oC  
=125oC  
10  
IR  
500  
A2s  
pF  
I2t rating for fusing ( t < 8.3ms )  
I2t  
510  
Typical junction capacitance per element (NOTE 1)  
Typical thermal resistance (NOTE 2)  
CJ  
85  
0.6  
R
JC  
K / W  
oC  
Operating junction and storage temperature range  
TJ  
,TSTG  
-55 to +175  
NOTES : (1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V DC.  
(2) Device mounted on 300 x 300 x 1.6mm Cu Plate Heatsink.  
Zowie Technology Corporation  
06/2003  
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES GBJ25A THRU GBJ25M  
FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE  
FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE  
PEAK FORWARD SURGE CURRENT  
25  
20  
15  
350  
300  
250  
Single half-sine-wave  
(JEDEC Method)  
200  
150  
100  
10  
5
0
50  
0
Resistive or Inductive Load  
1
10  
100  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
CASE TEMPERATURE, oC  
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz  
FIG.4 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS  
PER BRIDGE ELEMENT  
NEOUS  
AL INSTANTA  
FORWARD CH  
FIG.3 - TYPIC  
ICS  
ARACTERIST  
1000  
100  
10  
100  
10  
TJ  
=125oC  
TJ  
=100oC  
1.0  
0.1  
TJ  
=50oC  
1.0  
TJ  
=25oC  
PULSE WIDTH=300uS  
1.2 1.6  
0.01  
0.1  
0
0.4  
0.8  
2.0  
0
20  
40  
60  
80  
100  
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE,  
VOLTS  
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE,%  
FIG.5 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE  
100  
TJ  
= 25oC  
10  
1.0  
1.0  
10  
REVERSE VOLTAGE, VOLTS  
100  
06/2003  
Zowie Technology Corporation  
配单直通车
GBJ25M产品参数
型号:GBJ25M
生命周期:Contact Manufacturer
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.75
Is Samacsys:N
Base Number Matches:1
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