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  • 深圳市捷兴胜微电子科技有限公司

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  • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
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产品型号GBJ602的Datasheet PDF文件预览

GBJ6005 - GBJ610  
6.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER  
Features  
GBJ  
·
·
·
·
·
·
Glass Passivated Die Construction  
High Case Dielectric Strength of 1500V  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
29.70  
19.70  
17.00  
3.80  
7.30  
9.80  
2.00  
0.90  
2.30  
Max  
30.30  
20.30  
18.00  
4.20  
RMS  
Low Reverse Leakage Current  
Surge Overload Rating to 170A Peak  
Ideal for Printed Circuit Board Applications  
L
Plastic Material - UL Flammability  
Classification 94V-0  
A
M
K
7.70  
·
UL Listed Under Recognized Component  
Index, File Number E94661  
G
H
I
10.20  
2.40  
B
D
S
N
_
1.10  
Mechanical Data  
J
J
2.70  
P
K
L
3.0 X 45°  
H
I
·
·
Case: Molded Plastic  
C
R
4.40  
3.40  
3.10  
2.50  
0.60  
10.80  
4.80  
3.80  
3.40  
2.90  
0.80  
11.20  
Terminals: Plated Leads, Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
M
N
P
·
·
·
·
·
Polarity: Molded on Body  
Mounting: Through Hole for #6 Screw  
Mounting Torque: 5.0 in-lbs Maximum  
Weight: 6.6 grams (approx)  
G
E
E
R
S
Marking: Type Number  
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @ T = 25°C unless otherwise specified  
A
Single phase, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
GBJ  
6005  
GBJ  
601  
GBJ  
602  
GBJ  
604  
GBJ  
606  
GBJ  
608  
GBJ  
610  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
VR(RMS)  
RMS Reverse Voltage  
280  
6.0  
V
A
Average Forward Rectified Output Current @ TC = 110°C  
IO  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single  
half-sine-wave superimposed on rated load  
(JEDECmethod)  
IFSM  
170  
1.0  
A
Forward Voltage per element  
@ IF = 3.0A  
VFM  
IR  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TC = 25°C  
@ TC= 125°C  
5.0  
500  
µA  
I2t Rating for Fusing (t < 8.3ms) (Note 1)  
I2t  
Cj  
120  
55  
A2s  
pF  
Typical Junction Capacitance per Element (Note 2)  
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 3)  
Operating and Storage Temperature Range  
RqJC  
Tj, TSTG  
1.8  
°C/W  
°C  
-65 to +150  
Notes:  
1. Non-repetitive, for t > 1ms and < 8.3 ms.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3. Thermal resistance from junction to case per element. Unit mounted on 75 x 75 x 1.6mm aluminum plate heat sink.  
DS21216 Rev. D-2  
1 of 2  
GBJ6005-GBJ610  
6
5
4
10  
1.0  
With heatsink  
3
Without heatsink  
2
1
0
0.1  
Tj = 25°C  
Resistive or  
Inductive load  
Pulse width = 300µs  
0.01  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6 1.8  
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)  
Fig. 2 Typical Forward Characteristics (per element)  
TC, CASE TEMPERATURE (°C)  
Fig. 1 Forward Current Derating Curve  
180  
160  
100  
10  
1
Tj = 25°C  
f = 1MHz  
Single half-sine-wave  
(JEDEC method)  
Tj = 150°C  
120  
80  
40  
0
1
100  
10  
1
10  
100  
VR, REVERSE VOLTAGE (V)  
Fig. 4 Typical Junction Capacitance  
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz  
Fig. 3 Maximum Non-Repetitive Surge Current  
1000  
100  
Tj = 125°C  
Tj = 100°C  
10  
1.0  
0.1  
Tj = 50°C  
Tj = 25°C  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)  
Fig. 5 Typical Reverse Characteristics  
DS21216 Rev. D-2  
2 of 2  
GBJ6005-GBJ610  
配单直通车
GBJ602产品参数
型号:GBJ602
生命周期:Contact Manufacturer
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.7
Is Samacsys:N
Base Number Matches:1
  •  
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