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  • 上海硅威科技有限公司

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  • 江苏华美半导体有限公司

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GBU1001产品参数
型号:GBU1001
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Contact Manufacturer
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.3
其他特性:UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流:175 A
元件数量:4
相数:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:3.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:100 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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