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GBU6D产品参数
型号:GBU6D
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:R-PSFM-W4
制造商包装代码:127EL
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
Factory Lead Time:10 weeks
风险等级:0.74
Is Samacsys:N
其他特性:UL RECOGNIZED
最小击穿电压:200 V
外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:R-PSFM-W4
JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:175 A
元件数量:4
相数:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:6 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:12 W
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:WIRE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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