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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
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  • 上海硅威科技有限公司

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GBU802产品参数
型号:GBU802
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:R-PSFM-T4
针数:4
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:0.78
Is Samacsys:N
其他特性:UL RECOGNIZED
最小击穿电压:200 V
外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T4
JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:200 A
元件数量:4
相数:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:8 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1
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