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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 江苏华美半导体有限公司

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GBU810产品参数
型号:GBU810
生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:R-PSFM-T4
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.17
最小击穿电压:1000 V
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流:200 A
元件数量:4
相数:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-50 °C
最大输出电流:8 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压:1000 V
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1
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