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  • GE28F320B3TC90图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

     该会员已使用本站15年以上
  • GE28F320B3TC90
  • 数量35090 
  • 厂家INTEL 
  • 封装BGA 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品全新进口深圳现货
  • QQ:1002316308QQ:515102657
  • 深圳分公司0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
配单直通车
GE28F320B3TC90产品参数
型号:GE28F320B3TC90
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:INTEL CORP
零件包装代码:BGA
包装说明:VFBGA-48
针数:48
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.48
最长访问时间:90 ns
其他特性:TOP BOOT BLOCK
启动块:TOP
命令用户界面:YES
数据轮询:NO
JESD-30 代码:R-PBGA-B48
JESD-609代码:e0
长度:7.286 mm
内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16
功能数量:1
部门数/规模:8,63
端子数量:48
字数:2097152 words
字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:2MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA
封装等效代码:BGA48,6X8,30
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240
电源:1.8/3.3,3/3.3 V
编程电压:2.7 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1 mm
部门规模:4K,32K
最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.055 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD
端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30
切换位:NO
类型:NOR TYPE
宽度:6.964 mm
Base Number Matches:1
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