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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市福田区恒科电子商行

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  • 深圳市赛尔通科技有限公司

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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 上海金庆电子技术有限公司

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  • 深圳市晨豪科技有限公司

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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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产品型号GFD50N03的概述

芯片GFD50N03的概述 GFD50N03 是一种高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、直流-直流转换器、电机驱动和LED驱动等领域。它的主要特点是低导通电阻、快速开关速度以及较高的耐压能力,这使得该型号在各种高效率电源和信号处理电路中表现出色。 芯片...
配单直通车
GFD50N03产品参数
型号:GFD50N03
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88
Is Samacsys:N
配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):65 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):62.5 W
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1
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