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  • GLS85LS1064C-M-I-LFJE-ND123图
  • 深圳市欧瑞芯电子有限公司

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  • 昂富(深圳)电子科技有限公司

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  • 数量32222 
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GLS85VM1004A-M-I-LFWE-ND214产品参数
型号:GLS85VM1004A-M-I-LFWE-ND214
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Contact Manufacturer
IHS 制造商:GREENLIANT SYSTEMS LTD
包装说明:LBGA,
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.79
其他特性:ALSO CONFIGURABLE AS 4GX1
备用内存宽度:4
JESD-30 代码:R-PBGA-B100
长度:18 mm
内存密度:4294967296 bit
内存集成电路类型:FLASH CARD
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:100
字数:536870912 words
字数代码:512000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:512MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LBGA
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
编程电压:2.7 V
座面最大高度:1.4 mm
最大供电电压 (Vsup):3.3 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:BALL
端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
类型:MLC NAND TYPE
宽度:14 mm
Base Number Matches:1
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