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GM71C1000-80产品参数
型号:GM71C1000-80
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.9
最长访问时间:80 ns
I/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PDIP-T18
JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:1
端子数量:18
字数:1048576 words
字数代码:1000000
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:1MX1
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP18,.3
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:512
最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.07 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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