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GM71V65163CT-5产品参数
型号:GM71V65163CT-5
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:LG SEMICON CO LTD
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.2
Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:50 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G50
JESD-609代码:e0
内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:50
字数:4194304 words
字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:4MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP50,.46,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096
自我刷新:NO
最大待机电流:0.0005 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.15 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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