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  • GMM7364100BNSG-6图
  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • GMM7364100BNSG-6
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GMM7364100BNSG-6产品参数
型号:GMM7364100BNSG-6
生命周期:Transferred
IHS 制造商:LG SEMICON CO LTD
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.72
Is Samacsys:N
最长访问时间:60 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PSMA-N72
内存密度:150994944 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度:36
端子数量:72
字数:4194304 words
字数代码:4000000
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:4MX36
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SIMM
封装等效代码:SSIM72
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048
座面最大高度:25.4 mm
自我刷新:NO
最大待机电流:0.012 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:1.32 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm
端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1
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