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  • GO6400-A2图
  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • GO6400-A2
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GOB1UV6432A-10Q-S产品参数
型号:GOB1UV6432A-10Q-S
生命周期:Active
包装说明:DIMM, DIMM144,32
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.75
Is Samacsys:N
最长访问时间:7 ns
最大时钟频率 (fCLK):100 MHz
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDMA-N144
内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度:64
端子数量:144
字数:1048576 words
字数代码:1000000
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:1MX64
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM144,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048
最大待机电流:0.012 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.74 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD
端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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