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GP200MHB12S产品参数
型号:GP200MHB12S
生命周期:Transferred
IHS 制造商:GEC PLESSEY SEMICONDUCTORS
包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.73
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):200 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
门极-发射极最大电压:20 V
元件数量:1
最高工作温度:150 °C
最大功率耗散 (Abs):1250 W
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
VCEsat-Max:2.7 V
Base Number Matches:1
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