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GS82032Q100产品参数
型号:GS82032Q100
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
包装说明:QFP, QFP100,.7X.9
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.B
风险等级:5.92
最长访问时间:5 ns
最大时钟频率 (fCLK):100 MHz
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e0
内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:32
湿度敏感等级:3
端子数量:100
字数:65536 words
字数代码:64000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:64KX32
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QFP
封装等效代码:QFP100,.7X.9
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.01 A
最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.18 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:0.635 mm
端子位置:QUAD
Base Number Matches:1
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