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  • GS82582QT20GE-450I图
  • 深圳市凌创微科技有限公司

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  • GS82582QT20GE-450I
  • 数量359 
  • 厂家GSI 
  • 封装165-FPBGA 
  • 批号21+ 
  • 凌创微只做原装正品,支持一站式BOM配单
  • QQ:2853313610
  • 0755-82545354(BOM配单) QQ:2853313610
  • GS82582QT20GE-450I图
  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • GS82582QT20GE-450I
  • 数量660000 
  • 厂家GSI Technology 
  • 封装原厂原装 
  • 批号23+ 
  • 支持实单/只做原装
  • QQ:3008961398
  • 0755-21006672 QQ:3008961398
  • GS82582QT20GE-450I图
  • 深圳市博正芯科技有限公司

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  • GS82582QT20GE-450I
  • 数量11200 
  • 厂家GSI Technology Inc. 
  • 封装原装 
  • 批号21+ 
  • ★★正品专卖,进口原装深圳现货★★
  • QQ:639834857QQ:1487625604
  • 0755-82545278 QQ:639834857QQ:1487625604
配单直通车
GS82582QT37E-375I产品参数
型号:GS82582QT37E-375I
生命周期:Active
IHS 制造商:GSI TECHNOLOGY
包装说明:LBGA,
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.B
风险等级:5.59
最长访问时间:0.45 ns
JESD-30 代码:R-PBGA-B165
长度:17 mm
内存密度:301989888 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:36
功能数量:1
端子数量:165
字数:8388608 words
字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS
组织:8MX36
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LBGA
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL
座面最大高度:1.5 mm
最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
端子形式:BALL
端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM
宽度:15 mm
Base Number Matches:1
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