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  • GS842Z18AB-150图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • GS842Z18AB-150
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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • GS842Z18AB-150
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GS842Z18AB-150产品参数
型号:GS842Z18AB-150
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA
包装说明:BGA,
针数:119
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.78
最长访问时间:10 ns
其他特性:FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码:R-PBGA-B119
JESD-609代码:e0
长度:22 mm
内存密度:4718592 bit
内存集成电路类型:ZBT SRAM
内存宽度:18
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端子数量:119
字数:262144 words
字数代码:256000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:256KX18
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.99 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD
端子形式:BALL
端子节距:1.27 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:14 mm
Base Number Matches:1
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