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  • GS842Z18CGB-250I图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • GS842Z18CGB-250I
  • 数量6328 
  • 厂家GSI 
  • 封装BGA-119 
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  • ▉▉¥64.6元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • GS842Z18CGB-250图
  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • GS842Z18CGB-250
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  • 批号22+ 
  • 万三科技 秉承原装 实单可议
  • QQ:3008961396
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    GS842Z18CGB-250相关文章

配单直通车
GS842Z18CGB-250T产品参数
型号:GS842Z18CGB-250T
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:BGA
包装说明:BGA, BGA119,7X17,50
针数:119
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.32
最长访问时间:5.5 ns
其他特性:FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V
最大时钟频率 (fCLK):250 MHz
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B119
长度:22 mm
内存密度:4718592 bit
内存集成电路类型:ZBT SRAM
内存宽度:18
功能数量:1
端子数量:119
字数:262144 words
字数代码:256000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:256KX18
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA
封装等效代码:BGA119,7X17,50
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:2.5/3.3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.99 mm
最大待机电流:0.025 A
最小待机电流:2.3 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.18 mA
最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:BALL
端子节距:1.27 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:14 mm
Base Number Matches:1
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